Ürünler

Evde > Ürünler > Hibrit SiC Diskretleri > 1200V 12mΩ Sic Güç Mosfet Ayrı DS-SPS12MA12E4S Özel

Kategoriler

IGBT Ayrı

(2)

İletişim

İletişim: Mr. Zhou

Tel: 86-1360-528-8329

Şimdi iletişime geçin

Bize Mail Atın

1200V 12mΩ Sic Güç Mosfet Ayrı DS-SPS12MA12E4S Özel

Name: 1200V 12mΩ Sic Güç Mosfet Ayrı DS-SPS12MA12E4S Özel
Brand: 1200V 12mΩ Sic Güç Mosfet Ayrı DS-SPS12MA12E4S Özel
SKU: SPS12MA12E4S
Rating: 4.5 (153 reviews)

Ürün Ayrıntıları

Model numarası: SPS12MA12E4S

Ödeme ve Nakliye Şartları

En İyi Fiyatı Alın

Ürün Ayrıntıları

Ürün Tanımı

Vurgulamak: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                1200V Sic Güç Mosfet, 1200V SiC Diskretleri, Özel Sic Power Mosfet
                              

Güncel Beğeni:	40A	Kapı Ücreti:	120nC
Kapı Eşik Voltajı:	4V	İzolasyon Gerilimi:	2500V
Kurşunsuz:	- Evet.	Montaj Tarzı:	Çukurdan
Durum Direnci:	0,015Ω	Paket Türü:	TO-247
Ters İyileşme Süresi:	25ns	Rohs uyumlu:	- Evet.
Kısa devre dayanım süresi:	10μs	Frekans değiştirme:	100kHz
Sıcaklık aralığı:	-40°C - 175°C	Rating Voltajı:	1200V

Güncel Beğeni:	40A
Kapı Ücreti:	120nC
Kapı Eşik Voltajı:	4V
İzolasyon Gerilimi:	2500V
Kurşunsuz:	- Evet.
Montaj Tarzı:	Çukurdan
Durum Direnci:	0,015Ω
Paket Türü:	TO-247
Ters İyileşme Süresi:	25ns
Rohs uyumlu:	- Evet.
Kısa devre dayanım süresi:	10μs
Frekans değiştirme:	100kHz
Sıcaklık aralığı:	-40°C - 175°C
Rating Voltajı:	1200V

1200V 12mΩ Sic Güç Mosfet Ayrı DS-SPS12MA12E4S Özel

Katı Güç-DS-SPS12MA12E4S

1200V 12mΩ SiC MOSFET

1200V 12mΩ Sic Güç Mosfet Ayrı DS-SPS12MA12E4S Özel 0

Özellikleri:

□ Düşük On direnci ile yüksek engelleme voltajı

□ Düşük kapasitanslı yüksek hızlı anahtarlama

□ Düşük ters geri kazanımla hızlı iç diyot (Qrr)

Tipik Uygulamalar:

□ PV Inverterleri

□ Şarj pilleri

D Enerji depolama sistemleri

D Endüstriyel güç kaynağı

□ Endüstriyel motorlar

Maksimum Reytingler @Tc=25°C (eğer Aksi takdirde belirtilmiştir)

Ürün	Simge	Koşullar	Değerler	Birim
Çıkış Kaynağı Voltajı	VDSmax	VGS=0V, ID=100μA	1200	V
Geçit Kaynağı Voltajı	VGSop	Statik	-5/+20	V
Kapı-kaynak maksimum voltajı	VGSmax	Statik	-8/+22	V
Sürekli akış akımı	Kimlik	VGS=20V, Tc=25°C	214	A
Sürekli akış akımı	Kimlik	VGS=20V, Tc=100°C	151	A
Pulslu Akış Akımı	Tanımlama (Puls)	Nabız genişliği tp Tjmax ile sınırlıdır	400	A
Güç Kaybedilmesi	PD	TC=25°C, Tj=175°C	938	W
Çalışma kesişim aralığı	Tj		-55 ile +175 arasında.	°C
Depolama sıcaklık aralığı	Tstg		-55 ile +175 arasında.	°C

Elektrikli Özellikleri @Tc=25°C (eğer Aksi takdirde belirtilmiştir)

Ürün	Simge	Koşullar	Değerler Min. Tip. En fazla.			Birim
Çekim Kaynağı Boşaltma Voltajı	V ((BR) DSS	VGS=0V, ID=100μA	1200	-	-	V
Geçit Sınır Voltajı	VGS ((th)	VDS=VGS, ID=40mA	2.0	2.7	3.5	V
Geçit Sınır Voltajı	VGS ((th)	VDS=VGS, ID=40mA, Tj=175°C	-	1.9	-	V
Sıfır Kapı Voltaj Çıkış Akımı	IDSS	VDS=1200V, VGS=0V	-	2	100	μA
Geçit Kaynağı Sızıntı Akımı	IGSS	VGS=20V, VDS=0V	-	10	100	nA
İçi boşaltma kaynağı üzerinde direniş	RDS (açık)	VGS=20V, ID=100A	-	12	20	mΩ
		VGS=20V, ID=100A, Tj=175°C	-	20	-
		VGS=18V, ID=100A	-	13	25
		VGS=18V, ID=100A, Tj=175°C	-	21	-
Transkonduktans	Gfs	VDS=20V, IDS=100A	-	60	-	S
Transkonduktans	Gfs	VDS=20V, IDS=100A, Tj=175°C	-	52	-	S
Açma anahtarlama enerjisi (Body Diode FWD)	Eon	VDS=800V,VGS=-5V/20V,ID=100A,RG(ext)=5Ω,L=100μH,Tj=25°C FWD=SPS12MA12E4S	-	5.2	-	MJ
Kapatma anahtarlama enerjisi (Body Diode FWD)	Eof		-	3.7	-	MJ
Etkinleştirme Gecikme Zamanı	Td ((on)	VDD=800V, VGS=-5V/20V, ID=100A,RG(ext)=5Ω, L=100μH	-	24	-	ns
Kalkma Zamanı	tr		-	149	-
Kapatma gecikme süresi	Td ((off)		-	145	-
Sonbahar Zamanı	Tf		-	49	-
Kaynağa Geçit Ücreti	Qgs	VDS=800V, VGS=-5V/20V, ID=100A	-	215	-	nC
Kapıdan Kanama Ücreti	Qgd		-	179	-
Toplam Kapı Ücreti	Qg		-	577	-
Girdi Kapasitesi	Ciss	VGS=0V, VDS=1000V f=1MHz VAC=25mV	-	8330	-	pF
Çıktı Kapasitesi	Coss		-	343	-
Ters aktarım kapasitesi	Crss		-	57	-
COSS Depolama Enerjisi	Eoss		-	217	-	μJ
İç kapı direnci	RG ((int)	f=1MHz, VAC=25mV	-	0.8	-	Oh

Geriye dön. Diyot Özellikleri @Tc=25°C (eğer Aksi takdirde belirtilmiştir)

Ürün Simge		Koşullar	Değerler Birim Min. Tip. En fazla.
Diyot ileri voltajı	VSD	VGS=-5V, ISD=50A	-	4.7	7	V
Diyot ileri voltajı	VSD	VGS=-5V, ISD=50A, Tj=175°C	-	3.8	-	V
Sürekli Diyot ileri akımı	İS	VGS=-5V	-	214	-	A
Geri Dönme Zamanı	trr	VGS=-5V,	-	46	-	ns
Dönüştürülmüş geri kazanım ücreti	Qrr	ISD=100A,	-	1	-	nC
En yüksek ters geri kazanım akımı	İrm	VR=800V, di/dt=1597A/μs	-	37	-	A

Geriye dön. Diyot Özellikleri @Tc=25°C (eğer Aksi takdirde belirtilmiştir)

Ürün Simge		Koşullar	Değerler Birim
Çaprazdan kafana kadar termal direnç	RθJC		-	0.16	-	°C/W
Çaprazdan çevreye ısı direnci	RθJA		-	32	-	°C/W

Tipik Performans

1200V 12mΩ Sic Güç Mosfet Ayrı DS-SPS12MA12E4S Özel 4

1200V 12mΩ Sic Güç Mosfet Ayrı DS-SPS12MA12E4S Özel 5

1200V 12mΩ Sic Güç Mosfet Ayrı DS-SPS12MA12E4S Özel 6

Tipik Performans

Tipik Performans

Bu 1200V Silikon Karbid (SiC) MOSFET, 12 milliohm (12mΩ) bir on-state direnci ile. SiC MOSFET'ler yüksek voltaj kapasiteleri ve düşük on-state direnci ile bilinir.Yüksek frekanslı dönüştürücüler ve elektrikli araçlar gibi verimli güç elektronik uygulamaları için uygun hale getirmek.

Paket Çizelge: TO-247-4L

1200V 12mΩ Sic Güç Mosfet Ayrı DS-SPS12MA12E4S Özel 18

1200V 12mΩ Sic Güç Mosfet Ayrı DS-SPS12MA12E4S Özel 19

Tags:

IGBT Modülleri 34mm

IGBT Modülleri 62mm

IGBT Modülleri EconoDual3

IGBT Modülleri EasyPIM

IGBT Modülleri EconoPack

IGBT Modülleri EconoPIM

Otomobil Modülleri

Hibrit SiC Diskretleri

MOSFET Ayrı

IGBT Ayrı

1200V 12mΩ Sic Güç Mosfet Ayrı DS-SPS12MA12E4S Özel

1200V Sic Güç Mosfet

1200V SiC Diskretleri

Özel Sic Power Mosfet

Sic Power Mosfet,

Otomotiv Sic Mosfet,

Yüksek Voltajlı Sic Mosfet