Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
Ürünler
Ürünler
Evde > Ürünler > IGBT Modülleri EconoPack > 1200V 200A Tam Köprü IGBT Modülü Katı Güç-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0

1200V 200A Tam Köprü IGBT Modülü Katı Güç-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0

Ürün Ayrıntıları

Model numarası: SPS200F12K3

Ödeme ve Nakliye Şartları

En İyi Fiyatı Alın
Vurgulamak:

1200V tam köprü IGBT

,

Tam Köprü IGBT Modülü

,

200A Tam Köprü IGBT

Kollektör akımı:
50A
Toplayıcı-emitör gerilimi:
600V
Güncel Beğeni:
50A
Kapı Ücreti:
50nC
Kapı yayıcı voltajı:
±20V
İzolasyon Gerilimi:
2500V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:
150°C
Paket Türü:
EconoPACK
Ters İyileşme Süresi:
100ns
Rohs uyumlu:
- Evet.
Kısa devre dayanım süresi:
10μs
Frekans değiştirme:
20KHz
Isıl direnç:
1.5°C/W
Rating Voltajı:
600V
Kollektör akımı:
50A
Toplayıcı-emitör gerilimi:
600V
Güncel Beğeni:
50A
Kapı Ücreti:
50nC
Kapı yayıcı voltajı:
±20V
İzolasyon Gerilimi:
2500V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:
150°C
Paket Türü:
EconoPACK
Ters İyileşme Süresi:
100ns
Rohs uyumlu:
- Evet.
Kısa devre dayanım süresi:
10μs
Frekans değiştirme:
20KHz
Isıl direnç:
1.5°C/W
Rating Voltajı:
600V
1200V 200A Tam Köprü IGBT Modülü Katı Güç-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0

Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0

 

1200V 200A IGBT Dolu. Köprü Modül

 

1200V 200A Tam Köprü IGBT Modülü Katı Güç-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 0

 

Özellikleri:

D 1200V Trench+ Field Stop teknolojisi

□ Hızlı ve yumuşak ters geri kazanımlı serbest tekerlekli diyotlar

□ VCE(sat)Pozitif sıcaklık katsayısı ile

□ Az değişim kaybı

□ Kısa devre dayanıklılığı

 

 

TipikUygulamalar: 

 

□ Motorlu arabalar

□ Servo Sürücüler

□ Yardımcı invertörler

 

 

1200V 200A Tam Köprü IGBT Modülü Katı Güç-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 1

Paket 

Ürün Simge Koşullar Değerler Birim

İzolasyon test voltajı

VISOL RMS, f = 50 Hz, t = 1 min 2.5 KV

Modül tabanının malzemesi

    Cu  

İç yalıtım

 

(sınıf 1, IEC 61140)

Temel yalıtım (sınıf 1, IEC 61140)

Al2O.3  

Sürünme mesafesi

# Çirkin # Sıcaklık yuvasına terminal 10.0 mm

İzin

dAçık Sıcaklık yuvasına terminal 7.5 mm

Karşılaştırmalı izleme indeksi

CTI   >200  
   
Ürün Simge Koşullar Değerler Birim
- Min. Tipik. - Max. - Hayır.

Saçma induktansa modülü

LsCE     21   nH

Modül kurşun direnci, terminaller - çip

RCC+EE   TC=25°C   1.80  

Depolama sıcaklığı

Tstg   -40   125 °C

Modül montajı için montaj tork

M5   3   6 Nm

Ağırlık

G     300   g

 

 

1200V 200A Tam Köprü IGBT Modülü Katı Güç-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 2

IGBT

Maksimum Rated Değerler

Ürün Simge Koşullar Değerler Birim

Toplayıcı-vericinin Voltajı

VCES   Tvj=25°C 1200 V

Kapı yayıcısının maksimum voltajı

VGES   ±20 V

Geçici kapı-emitör voltajı

VGES tp≤10μs, D=0.01 ±30 V

Sürekli DC kolektor akımı

Ben...C   TC=60°C 200 A

Pulslu kolektor akımı,tp T ile sınırlıdırjmax

ICpulse   400 A

Güç dağılımı

Ptot   750 W

 

 

1200V 200A Tam Köprü IGBT Modülü Katı Güç-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 3

Karakteristik Değerler 

Ürün Simge Koşullar Değerler Birim
- Min. Tipik. - Max. - Hayır.

Toplayıcı-emitör doymak voltajı

VCE (sat) Ben...C=200A, VGE=15V Tvj=25°C   1.60 2.10

V

Tvj=125°C   1.80  
Tvj=150°C   1.85  

Geçit eşiği voltajı

VGE (th) VCE=VGEBen...C=8mA 5.2 6.0 6.7 V

Toplayıcı-emitör kesme akımı

ICES VCE=1200V, VGE=0V Tvj=25°C     100 μA
Tvj=150°C     5 mA

Geçit-emitör sızıntı akımı

IGES VCE=0V,VGE=±20V, Tvj=25°C - 200 dolar.   200 nA

Geçit Ücreti

QG VCE=600V, IC= 200A, VGE=±15V   1.6   μC

Girdi Kapasitesi

- Evet. VCE=25V, VGE=0V, f =100kHz   24.7  

NF

Çıktı Kapasitesi

Coes   0.9  

Ters aktarım kapasitesi

Cres   0.2  

Açılma gecikme süresi, endüktif yük

Td ((on)

VCC=600V,IC=200A RG=3.3Ω,

VGE=15V

Tvj=25°C   388   ns
Tvj=125°C   428   ns
Tvj=150°C   436   ns

Kalkış süresi, endüktif yük

tr Tvj=25°C   44   ns
Tvj=125°C   52   ns
Tvj=150°C   56   ns

Kapatma gecikme süresi, endüktif yük

Td ((off)

VCC=600V,IC=200A RG=3.3Ω,

VGE=15V

Tvj=25°C   484   ns
Tvj=125°C   572   ns
Tvj=150°C   588   ns

Düşme zamanı, endüktif yük

tf Tvj=25°C   132   ns
Tvj=125°C   180   ns
Tvj=150°C   196   ns

Dökme enerjisi kaybı puls başına

Eon

VCC=600V,IC=200A RG=3.3Ω,

VGE=15V

Tvj=25°C   6.5   MJ
Tvj=125°C   9.6   MJ
Tvj=150°C   11.2   MJ

Patlama başına enerji kaybı kapat

Eof Tvj=25°C   11.8   MJ
Tvj=125°C   16.4   MJ
Tvj=150°C   17.3   MJ

SC verileri

ISC VGE≤15V, VCC=800V tp≤10μs Tvj=150°C     750 A

IGBT termal direnci, bağlantı kesi

RthJC       0.20 K / W

Çalışma sıcaklığı

TJop   -40   150 °C

 

 

1200V 200A Tam Köprü IGBT Modülü Katı Güç-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 4

Diyot 

Maksimum Rated Değerler 

Ürün Simge Koşullar Değerler Birim

Tekrarlanan ters gerilim

VRRM   Tvj=25°C 1200 V

Sürekli DC ileri akım

Ben...F   200

A

Diyot patlama akımı,tp T ile sınırlıdırJmax

IFpulse   400

 

Karakteristik Değerler 

Ürün Simge Koşullar Değerler Birim
- Min. Tipik. - Max. - Hayır.

İleri voltaj

VF Ben...F= 200A, VGE=0V Tvj=25°C 1.5 1.80 2.40

V

Tvj=125°C   1.80  
Tvj=150°C   1.80  

Geri dönüş süresi

trr

Ben...F=200A

dIF/dt=-6000A/μs (T)vj=150°C) VR=600V,

VGE=-15V

Tvj=25°C   864  

ns

Tvj=125°C 1170
Tvj=150°C 1280

En yüksek ters geri kazanım akımı

IRRM Tvj=25°C   270  

A

Tvj=125°C 290
Tvj=150°C 300

Döner geri kazanım ücreti

QRR Tvj=25°C   22.6  

μC

Tvj=125°C 34.8
Tvj=150°C 40.0

Dövme başına ters geri kazanım enerji kaybı

Erec Tvj=25°C   4.0  

 

MJ

Tvj=125°C 13.7
Tvj=150°C 16.1

Diyot termal direnci, bağlantı kesi

RthJCD       0.30 K / W

Çalışma sıcaklığı

TJop   -40   150 °C

 

NTC-Termistör 

Karakteristik Değerler

Ürün Simge Koşullar Değerler Birim

İsimlendirilmiş direnç

R25   TC=25°C 5.00

B değeri

R25/50   3375 K

 

 

 

 

Çıkış Karakteristik (tipik) Çıktı Karakteristik (tipik)

Ben...C= f (V)CE) BenC= f (V)CE) Tvj= 150°C

 

1200V 200A Tam Köprü IGBT Modülü Katı Güç-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 5

 

 

                                                                                                              IGBT

Değiştirme Karakteristik (tipik) Değişim kayıplar IGBT(Tipik)

Ben...C= f (V)GE) VGE= ±15V, IC= 200A, VCE= 600V

VCE= 20V VGE= ±15V, IC= 200A, VCE= 600V

                                                                                                        

1200V 200A Tam Köprü IGBT Modülü Katı Güç-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 6

 

 

 

IGBT RBSOA

 Değişim kayıplar IGBT(tipik) Geri önyargı Güvenli çalıştırmak Bölge ((RBSOA)

E = f (IC) BenC=f (V)CE)

VGE= ±15V, RG= 3.3Ω, VCE= 600V VGE= ±15V, RGoff= 3.3Ω, Tvj= 150°C

 

1200V 200A Tam Köprü IGBT Modülü Katı Güç-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 7

 

 

Tipik kapasitans -... a) fonksiyon - Ne? toplayıcı-kaydırıcı Voltaj Kapısı yükleme(Tipik)

C = f (V)CE) VGE= f (QG)

f = 100 kHz, VGE= 0V IC= 200A, VCE= 600V

 

1200V 200A Tam Köprü IGBT Modülü Katı Güç-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 8

 

 

IGBT

IGBT geçici Termal İmpedans -... a) fonksiyon - Ne? Nabız Genişlik İleri Karakteristik - Ne? Diyot (tipik)

Zth(j-c) = f (t) IF= f (V)F)

 

1200V 200A Tam Köprü IGBT Modülü Katı Güç-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 9

 

 

Değişim kayıplar Diyot (tipik) Değiştirme kayıplar Diyot (tipik)

EReklam= f (RG) EReklam= f (IF)

Ben...F= 200A, VCE= 600V RG= 3.3Ω, VCE= 600V

 

   1200V 200A Tam Köprü IGBT Modülü Katı Güç-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 10

 

Diyot geçici Termal İmpedans -... a) fonksiyon - Ne? Nabız genişliği NTC-Termistör-sıcaklığı Karakteristik (tipik)

Zth(j-c) = f (t) R = f (T)

 

1200V 200A Tam Köprü IGBT Modülü Katı Güç-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 11

 

 

Bu 1200V, 200A IGBT tam köprü modülüdür. Tam köprü yapılandırmaları, motor sürücüleri, inverterler ve güç kaynakları gibi güç elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.Değerlendirilmiş gerilim, modülün taşıyabileceği maksimum gerilimi gösterir.Bu tür yüksek güçlü modülleri kullanırken, ısı batırma, soğutma,Güvenilir ve güvenli çalışmayı sağlamak için koruma devreleri gereklidir..

 

 

Çember Şema başlık 

 

 

1200V 200A Tam Köprü IGBT Modülü Katı Güç-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 12

 

 

 

 

 

 

Paket çizgiler 

 

 1200V 200A Tam Köprü IGBT Modülü Katı Güç-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 13