Ürünler

Evde > Ürünler > Hibrit SiC Diskretleri > 1200V Hibrit SiC Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM

Kategoriler

IGBT Ayrı

(2)

İletişim

İletişim: Mr. Zhou

Tel: 86-1360-528-8329

Şimdi iletişime geçin

Bize Mail Atın

1200V Hibrit SiC Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM

Name: 1200V Hibrit SiC Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM
Brand: 1200V Hibrit SiC Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM
SKU: SPS40MA12E4S
Rating: 4.5 (128 reviews)

Ürün Ayrıntıları

Model numarası: SPS40MA12E4S

Ödeme ve Nakliye Şartları

En İyi Fiyatı Alın

Ürün Ayrıntıları

Ürün Tanımı

Vurgulamak: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                1200V Hibrit SiC Diskretleri, 1200V Sic Mosfet, OEM Hibrit SiC Diskretleri
                              

Vücut diyotunun gerilim düşüşü:	1.5V	Güncel Beğeni:	20A
Kapı Ücreti:	20nC	Kapı Eşik Voltajı:	4V
İzolasyon Gerilimi:	2500V	Maksimum Bağlantı Sıcaklığı:	175°C
Durum Direnci:	0.1Ω	Çıkış kapasitansı:	50pF
Paket Türü:	TO-247	Ters İyileşme Süresi:	20ns
Kısa devre dayanım süresi:	10μs	Frekans değiştirme:	100kHz
Sıcaklık aralığı:	-55°C ila +175°C	Rating Voltajı:	1200V

Vücut diyotunun gerilim düşüşü:	1.5V
Güncel Beğeni:	20A
Kapı Ücreti:	20nC
Kapı Eşik Voltajı:	4V
İzolasyon Gerilimi:	2500V
Maksimum Bağlantı Sıcaklığı:	175°C
Durum Direnci:	0.1Ω
Çıkış kapasitansı:	50pF
Paket Türü:	TO-247
Ters İyileşme Süresi:	20ns
Kısa devre dayanım süresi:	10μs
Frekans değiştirme:	100kHz
Sıcaklık aralığı:	-55°C ila +175°C
Rating Voltajı:	1200V

1200V Hibrit SiC Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM

Solid Power-DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0

1200V 40mΩ SiC MOSFET

1200V Hibrit SiC Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 0

Özellikleri:

□ Düşük On direnci ile yüksek engelleme voltajı

□ Düşük kapasitanslı yüksek hızlı anahtarlama

□ Düşük ters geri kazanımla hızlı iç diyot (Qrr)

Tipik Uygulamalar:

□ PV Inverterleri

□ Şarj pilleri

D Enerji depolama sistemleri

D Endüstriyel güç kaynağı

□ Endüstriyel motorlar

Maksimum Reytingler @Tc=25°C (eğer Aksi takdirde belirtilmiştir)

Ürün	Simge	Koşullar	Değerler	Birim
Çıkış Kaynağı Voltajı	VDSmax	VGS=0V, ID=100μA	1200	V
Geçit Kaynağı Voltajı	VGSop	Statik	-5/+20	V
Kapı-kaynak maksimum voltajı	VGSmax	Statik	-8/+22	V
Sürekli akış akımı	Kimlik	VGS=20V, Tc=25°C	75	A
Sürekli akış akımı	Kimlik	VGS=20V, Tc=100°C	53
Pulslu Akış Akımı	Tanımlama (Puls)	Nabız genişliği tp Tjmax ile sınırlıdır	120	A
Güç Kaybedilmesi	PD	TC=25°C, Tj=175°C	366	W
Çalışma kesişim aralığı	Tj		-55 ile +175 arasında.	°C
Depolama sıcaklık aralığı	Tstg		-55 ile +175 arasında.	°C

Elektrikli Özellikleri @Tc=25°C (eğer Aksi takdirde belirtilmiştir)

Ürün	Simge	Koşullar	Min.	Değerler Tip.	En fazla.	Birim
Çekim Kaynağı Boşaltma Voltajı	V ((BR) DSS	VGS=0V, ID=100μA	1200	-	-	V
Geçit Sınır Voltajı	VGS ((th)	VDS=VGS, ID=10mA	2.0	2.8	3.5	V
Geçit Sınır Voltajı	VGS ((th)	VDS=VGS, ID=10mA, Tj=175°C	-	1.9	-	V
Sıfır Kapı Voltaj Çıkış Akımı	IDSS	VDS=1200V, VGS=0V	-	1	100	μA
Geçit Kaynağı Sızıntı Akımı	IGSS	VGS=20V, VDS=0V	-	10	100	nA
İçi boşaltma kaynağı üzerinde direniş	RDS (açık)	VGS=20V, ID=35A	-	40	60	mΩ
		VGS=20V, ID=35A, Tj=175°C	-	64	-
		VGS=18V, ID=35A	-	43	70
		VGS=18V, ID=35A, Tj=175°C	-	67	-
Transkonduktans	Gfs	VDS=20V, IDS=35A	-	20	-	S
Transkonduktans	Gfs	VDS=20V, IDS=35A, Tj=175°C	-	18	-	S
Açma anahtarlama enerjisi (Body Diode FWD)	Eon	VDS=800V, VGS=-5V/20V, ID=35A,	-	635	-
		VDS=800V, VGS=-5V/20V, ID=35A,
Kapatma anahtarlama enerjisi (Body Diode FWD)	Eof	RG ((ext) = 2.5Ω, L=200μH, Tj=25°C FWD=SPS40MA12E4S	-	201	-	μJ
Etkinleştirme Gecikme Zamanı	Td ((on)		-	9	-
Kalkma Zamanı	tr	VDD=800V,	-	30	-
Kalkma Zamanı	tr	VGS=-5V/20V, ID=35A,	-	30	-	ns
Kapatma gecikme süresi	Td ((off)	VGS=-5V/20V, ID=35A,	-	31	-	ns
Kapatma gecikme süresi	Td ((off)	RG ((ext) = 2,5Ω, L=200μH	-	31	-
Sonbahar Zamanı	Tf		-	12	-
Kaynağa Geçit Ücreti	Qgs	VDS=800V, VGS=-5V/20V, ID=35A	-	40	-
Kapıdan Kanama Ücreti	Qgd		-	60	-	nC
Toplam Kapı Ücreti	Qg		-	163	-
Girdi Kapasitesi	Ciss	VGS=0V, VDS=1000V f=1MHz VAC=25mV	-	2534	-	pF
Çıktı Kapasitesi	Coss		-	110	-
Ters aktarım kapasitesi	Crss		-	26	-
COSS Depolama Enerjisi	Eoss		-	70	-	μJ
İç kapı direnci	RG ((int)	f=1MHz, VAC=25mV	-	1.6	-	Oh

Geriye dön. Diyot Özellikleri @Tc=25°C (eğer Aksi takdirde belirtilmiştir)

Ürün	Simge	Koşullar	Min.	Değerler Tip.	En fazla.	Birim
Diyot ileri voltajı	VSD	VGS=-5V, ISD=20A	-	4.9	7	V
Diyot ileri voltajı	VSD	VGS=-5V, ISD=20A, Tj=175°C	-	4.1	-	V
Sürekli Diyot ileri akımı	İS	VGS=-5V	-	75	-	A
Geri Dönme Zamanı	trr	VGS=-5V,	-	32	-	ns
Dönüştürülmüş geri kazanım ücreti	Qrr	ISD=35A,	-	769	-	nC
En yüksek ters geri kazanım akımı	İrm	VR=800V, di/dt=3000A/μs	-	39	-	A

Geriye dön. Diyot Özellikleri @Tc=25°C (eğer Aksi takdirde belirtilmiştir)

Ürün	Simge	Koşullar	Min.	Değerler Tip.	En fazla.	Birim
Çaprazdan kafana kadar termal direnç	RθJC		-	0.41	-	°C/W

Tipik Performans

1200V Hibrit SiC Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 3

1200V Hibrit SiC Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 4

1200V Hibrit SiC Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 5

Tipik Performans

Tipik Performans

1200V Hibrit SiC Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 12

1200V Hibrit SiC Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 13

1200V Hibrit SiC Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 14

Tipik Performans

1200V Hibrit SiC Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 15

Bu, 1200V'lik bir gerilim derecesi ve 40 milliohm (40mΩ) olan bir Silikon Karbid (SiC) Metal-Oksit-Yarı iletken Alan Etkisi Transistörü (MOSFET).SiC MOSFET'ler yüksek gerilim kabiliyetleri ve düşük durum dirençleriyle bilinir, yüksek frekanslı dönüştürücüler ve elektrikli araçlar gibi verimli güç elektronik uygulamaları için uygun hale getiriyor.40mΩ açık durum direnci, iletken nispeten düşük güç kayıplarını gösterir, yüksek güç uygulamalarında verimliliğin arttırılmasına katkıda bulunur.

Paket Çizelge: TO-247-4L

Tags:

IGBT Modülleri 34mm

IGBT Modülleri 62mm

IGBT Modülleri EconoDual3

IGBT Modülleri EasyPIM

IGBT Modülleri EconoPack

IGBT Modülleri EconoPIM

Otomobil Modülleri

Hibrit SiC Diskretleri

MOSFET Ayrı

IGBT Ayrı

1200V Hibrit SiC Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM

1200V Hibrit SiC Diskretleri

1200V Sic Mosfet

OEM Hibrit SiC Diskretleri

Solid Power-DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0

1200V 40mΩ SiC MOSFET

Elektrikli Özellikleri @Tc=25°C (eğer Aksi takdirde belirtilmiştir)

Tipik Performans

Tipik Performans

Tipik Performans

Sic Power Mosfet,

Otomotiv Sic Mosfet,

Yüksek Voltajlı Sic Mosfet

1200V 12mΩ Sic Güç Mosfet Ayrı DS-SPS12MA12E4S Özel

Otomobil Yüksek Voltajlı Sic Mosfet DS-SPS75MA12E4S-S03130002 V1.0. OEM

IGBT Modülleri 34mm

IGBT Modülleri 62mm

IGBT Modülleri EconoDual3

IGBT Modülleri EasyPIM

IGBT Modülleri EconoPack

IGBT Modülleri EconoPIM

Otomobil Modülleri