OEM 1200V 100A H Köprü Mosfet Modülü DS-SPS100B12G3H6-S04010019

Katı Güç-DS-SPS100B12G3H6-S04010019

1200V 100A IGBT Yarısı. Köprü Modül

1200V 100A IGBT 

Özellikleri:

D 1200V Trench+ Field Stop teknolojisi

□ Hızlı ve yumuşak ters geri kazanımlı serbest tekerlekli diyotlar

□ V_CE(sat)Pozitif sıcaklık katsayısı ile

□ Az değişim kaybı

TipikUygulamalar: 

□ Kaynak

Çıkış Karakteristik (tipik) Çıktı Karakteristik (tipik)

Ben..._C= f (V)_CE) Ben_C= f (V)_CE) T_vj= 150°C

                                                                                                                   IGBT

Değiştirme Karakteristik (tipik) Değişim kayıplar IGBT(Tipik)

Ben..._C= f (V)_GE) E = f (R_G)

V_CE= 20V V_GE= ±15V, I_C= 30A, V_CE= 600V

IGBT RBSOA

 Değişim kayıplar IGBT(tipik) Geri önyargı Güvenli çalıştırmak Bölge ((RBSOA)

E = f (I_C) Ben_C=f (V)_CE)

V_GE= ±15V, R_G= 10Ω, V_CE= 600V V_GE= ±15V, R_Goff= 10Ω, T_vj= 150°C

Tipik kapasitans -... a) fonksiyon - Ne? toplayıcı-kaydırıcı Voltaj Kapısı yükleme(Tipik)

C = f (V)_CE) V_GE= f (Q_G)

f = 100 kHz, V_GE= 0V I_C= 100A, V_CE= 600V

IGBT

IGBT geçici Termal İmpedans -... a) fonksiyon - Ne? Nabız Genişlik İleri Karakteristik - Ne? Diyot (tipik)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V)_F)

   Değişim kayıplar Diyot (tipik) Değiştirme kayıplar Diyot (tipik)

E_Reklam= f (R_G) E_Reklam= f (I_F)

Ben..._F= 30A, V_CE= 600V R_G= 10Ω, V_CE= 600V

Diyot geçici Termal İmpedans -... a) fonksiyon - Ne? Nabızgenişliği

Zth(j-c) = f (t)