Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
Ürünler
Ürünler
Evde > Ürünler > IGBT Modülleri 34mm > 150A Yüksek Güçlü IGBT Modülü 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

150A Yüksek Güçlü IGBT Modülü 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

Ürün Ayrıntıları

Model numarası: SPS150B12G3M4

Ödeme ve Nakliye Şartları

En İyi Fiyatı Alın
Vurgulamak:

Yüksek Güçlü IGBT Modülü 34mm

,

150A Yüksek Güçlü IGBT Modülü

,

150A IGBT Modülü 34mm

150A Yüksek Güçlü IGBT Modülü 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

Solid Power-DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

 

1200V 150A IGBT Yarısı. Köprü Modül

 

1200V 150A IGBT 

 

 

150A Yüksek Güçlü IGBT Modülü 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 0
 

 

Özellikleri:

 

D 1200V Trench+ Field Stop teknolojisi

□ Hızlı ve yumuşak ters geri kazanımlı serbest tekerlekli diyotlar

□ VCE(sat)Pozitif sıcaklık katsayısı ile

□ Az değişim kaybı

 

 

Tipik Uygulamalar: 

 

□ Motor/Servo Sürücüler

□ Yüksek Güçlü Değiştiriciler

□ UPS

□ Fotovoltaik

 

 

150A Yüksek Güçlü IGBT Modülü 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 1

Paket 

Ürün Simge Koşullar Değerler Birim

İzolasyon test voltajı

VISOL RMS, f = 50 Hz, t = 1 min

4.0

KV

Modül tabanının malzemesi

   

Cu

 

İç yalıtım

 

(sınıf 1, IEC 61140)

Temel yalıtım (sınıf 1, IEC 61140)

Al2O.3

 

Sürünme mesafesi

# Çirkin # Sıcaklık yuvasına terminal 17.0

mm

# Çirkin # terminalden terminal'e 20.0

İzin

dAçık Sıcaklık yuvasına terminal 17.0

mm

dAçık terminalden terminal'e 9.5

Karşılaştırmalı izleme indeksi

CTI  

>200

 
   
Ürün Simge Koşullar Değerler Birim
- Min. Tipik. - Max. - Hayır.

Saçma induktansa modülü

LsCE    

20

 

nH

Modül kurşun direnci, terminaller - çip

RCC+EE   TC=25°C  

0.65

 

Depolama sıcaklığı

Tstg  

-40

 

125

°C

Modül montajı için montaj tork

M6  

3.0

 

5.0

Nm

Terminal bağlantısı tork

M5  

2.5

 

5.0

Nm

Ağırlık

G    

160

 

g

 

 

150A Yüksek Güçlü IGBT Modülü 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 2

IGBT

Maksimum Rated Değerler 

Ürün Simge Koşullar Değerler Birim

Toplayıcı-vericinin Voltajı

VCES   Tvj=25°C

1200

 

V

Kapı yayıcısının maksimum voltajı

VGES  

±20

 

V

Geçici kapı-emitör voltajı

VGES tp≤10μs, D=0.01

±30

 

V

Sürekli DC kolektor akımı

Ben...C   TC=25°C 200

 

A

TC=100°C 150

Pulslu kolektor akımı,tp T ile sınırlıdırjmax

ICpulse  

300

 

A

Güç dağılımı

Ptot  

600

 

W

 

 

150A Yüksek Güçlü IGBT Modülü 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 3

Karakteristik Değerler 

Ürün Simge Koşullar Değerler Birim
- Min. Tipik. - Max. - Hayır.

Toplayıcı-emitör doymak voltajı

VCE (sat) Ben...C=150A, VGE=15V Tvj=25°C   1.50 1.80

V

Tvj=125°C   1.65  
Tvj=150°C   1.70  

Geçit eşiği voltajı

VGE (th) VCE=VGEBen...C=6mA

5.0

5.8

6.5

V

Toplayıcı-emitör kesme akımı

ICES VCE=1200V, VGE=0V Tvj=25°C     100 μA
Tvj=150°C     5 mA

Geçit-emitör sızıntı akımı

IGES VCE=0V,VGE=±20V, Tvj=25°C - 200 dolar.   200 nA

Geçit Ücreti

QG VCE=600V, IC= 150A, VGE=±15V   1.8   μC

Girdi Kapasitesi

- Evet. VCE=25V, VGE=0V, f =100kHz   30.0  

NF

Çıktı Kapasitesi

Coes   0.95  

Ters aktarım kapasitesi

Cres   0.27  

İç kapı direnci

RGint Tvj=25°C   2   Oh

Açılma gecikme süresi, endüktif yük

Td ((on) VCC=600V,IC=150A RG=3.3Ω, VGE=±15V Tvj=25°C   128   ns
Tvj=125°C   140   ns
Tvj=150°C   140   ns

Kalkış süresi, endüktif yük

tr Tvj=25°C   48   ns
Tvj=125°C   52   ns
Tvj=150°C   52   ns

Kapatma gecikme süresi, endüktif yük

Td ((off) VCC=600V,IC=150A RG=3.3Ω, VGE=±15V Tvj=25°C   396   ns
Tvj=125°C   448   ns
Tvj=150°C   460   ns

Düşme zamanı, endüktif yük

tf Tvj=25°C   284   ns
Tvj=125°C   396   ns
Tvj=150°C   424   ns

Dökme enerjisi kaybı puls başına

Eon VCC=600V,IC=150A RG=3.3Ω, VGE=±15V Tvj=25°C   4.9   MJ
Tvj=125°C   7.6   MJ
Tvj=150°C   8.3   MJ

Patlama başına enerji kaybı kapat

Eof Tvj=25°C   16.1   MJ
Tvj=125°C   21.7   MJ
Tvj=150°C   22.5   MJ

SC verileri

ISC VGE≤15V, VCC=800V tp≤10μs Tvj=150°C    

650

A

IGBT termal direnci, bağlantı kesi

RthJC       0.25 K / W

Çalışma sıcaklığı

TJop   -40   150 °C

 

 

150A Yüksek Güçlü IGBT Modülü 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 4

Diyot 

Maksimum Rated Değerler 

Ürün Simge Koşullar Değerler Birim

Tekrarlanan ters gerilim

VRRM   Tvj=25°C

1200

V

Sürekli DC ileri akım

Ben...F  

150

A

Diyot patlama akımı,tp T ile sınırlıdırJmax

IFpulse   300

 

Karakteristik Değerler 

Ürün Simge Koşullar Değerler Birim
- Min. Tipik. - Max. - Hayır.

İleri voltaj

VF Ben...F= 150A, VGE=0V Tvj=25°C   2.30 2.70

V

Tvj=125°C   2.50  
Tvj=150°C   2.50  

Geri dönüş süresi

trr

Ben...F=150A

dIF/dt=-3300A/μs (T)vj=150°C) VR=600V,

VGE=-15V

Tvj=25°C   94  

ns

Tvj=125°C 117
Tvj=150°C 129

En yüksek ters geri kazanım akımı

IRRM Tvj=25°C   151  

A

Tvj=125°C 166
Tvj=150°C 170

Döner geri kazanım ücreti

QRR Tvj=25°C   15.6  

μC

Tvj=125°C 23.3
Tvj=150°C 24.9

Dövme başına ters geri kazanım enerji kaybı

Erec Tvj=25°C   6.7  

MJ

Tvj=125°C 10.9
Tvj=150°C 11.9

Diyot termal direnci, bağlantı kesi

RthJCD      

0.46

K / W

Çalışma sıcaklığı

TJop  

-40

 

150

°C

 

 

 

 

Çıkış Karakteristik (tipik) Çıktı Karakteristik (tipik)

Ben...C= f (V)CE) BenC= f (V)CE) Tvj= 150°C

 

150A Yüksek Güçlü IGBT Modülü 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 5

 

 

                                                                                                                     IGBT

Değiştirme Karakteristik (tipik) Değişim kayıplar IGBT(Tipik)

Ben...C= f (V)GE) E = f (RG)

VCE= 20V VGE= ±15V, IC= 150A, VCE= 600V

 

 

150A Yüksek Güçlü IGBT Modülü 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 6

 

 

 

IGBT                                                                                                               RBSOA

Değişim kayıplar IGBT(tipik) Geri önyargı Güvenli çalıştırmak Bölge ((RBSOA)

E = f (IC) BenC=f (V)CE)

VGE= ±15V, RG= 3.3Ω, VCE= 600V VGE= ±15V, RGoff= 5.1Ω, Tvj= 150°C

 

 

150A Yüksek Güçlü IGBT Modülü 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 7

 

 

 

 

Tipik kapasitans -... a) fonksiyon - Ne? toplayıcı-kaydırıcı Voltaj Kapı yükü (tipik)

C = f (V)CE) VGE= f (QG)

f = 100 kHz, VGE= 0V IC= 150A, VCE= 600V

 

   150A Yüksek Güçlü IGBT Modülü 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 8

 

 

IGBT İleri Karakteristik - Ne? Diyot (tipik)

IGBT geçici Termal İmpedans -... a) fonksiyon Nabız genişliğiBen...F= f (V)F)     

Zth(j-c) = f (t)

 

150A Yüksek Güçlü IGBT Modülü 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 9

 

 

 

 

Değiştirme kayıpları Diyot (tipik) DeğiştirmeDiyot kaybı (tipik)

EReklam= f (RG) EReklam= f (IF)

Ben...F= 150A, VCE= 600V RG= 3.3Ω, VCE= 600V

 

     150A Yüksek Güçlü IGBT Modülü 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 10

 

 

 

Diyot geçici Termal İmpedans -... a) fonksiyon - Ne? Nabız genişliği

Zth(j-c) = f (t)

   

 150A Yüksek Güçlü IGBT Modülü 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 11

 

 

 

 

"1200V 150A IGBT Yarım Köprü Modülü" iki IGBT'yi yarı köprü yapılandırmasında birleştirir.Voltaj (1200V) ve akım (150A) üzerinde hassas bir kontrol sunarGüvenilir çalışma için etkili soğutma gereklidir ve detaylı özellikler üreticinin veri sayfasında bulunabilir.

 

 

 

 

Çember Şema başlık 

 

 

  150A Yüksek Güçlü IGBT Modülü 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 12

 

 

 

 

 

Paket çizgiler 

 

 

 

 

150A Yüksek Güçlü IGBT Modülü 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 13

 

 

Boyutlar (mm)

mm