DS-SPS450B12G6M4-S04020021 V-1.0H Köprü Mosfet Modülü 1200V 450A ODM
Solid Power-DS-SPS450B12G6M4-S04020021 V-1.0.
1200V 450A IGBT Yarısı. Köprü Modül
Özellikleri:
D 1200V Trench+ Field Stop teknolojisi
□ Hızlı ve yumuşak ters geri kazanımlı serbest tekerlekli diyotlar
□ VCE(sat)Pozitif sıcaklık katsayısı ile
□ Az değişim kaybı
□ Kısa devre dayanıklılığı
□ Indüksiyon ısıtması
□ Kaynak
□ Yüksek frekanslı anahtarlama uygulaması
IGBT Paketi
| Ürün |
Simge |
Koşullar |
Değerler |
Birim |
|
İzolasyon test voltajı
|
VISOL |
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min |
4.0 |
KV |
|
Modül tabanının malzemesi
|
|
|
Cu |
|
|
İç yalıtım
|
|
(sınıf 1, IEC 61140)
Temel yalıtım (sınıf 1, IEC 61140)
|
Al2O.3 |
|
|
Sürünme mesafesi
|
# Çirkin # |
Sıcaklık yuvasına terminal |
29.0 |
mm |
| # Çirkin # |
terminalden terminal'e |
23.0 |
|
İzin
|
dAçık |
Sıcaklık yuvasına terminal |
23.0 |
mm |
| dAçık |
terminalden terminal'e |
11.0 |
|
Karşılaştırmalı izleme indeksi
|
CTI |
|
> 400 |
|
| |
|
| Ürün |
Simge |
Koşullar |
Değerler |
Birim |
| - Min. |
Tipik. |
- Max. - Hayır. |
|
Saçma induktansa modülü
|
LsCE |
|
|
20 |
|
nH |
|
Modül kurşun direnci, terminaller - çip
|
RCC+EE |
|
TC=25°C |
|
0.70 |
|
mΩ |
|
Depolama sıcaklığı
|
Tstg |
|
-40 |
|
125 |
°C |
|
Modül montajı için montaj tork
|
M5 |
|
3.0 |
|
6.0 |
Nm |
|
Terminal bağlantısı tork
|
M6 |
|
2.5 |
|
5.0 |
Nm |
|
Ağırlık
|
G |
|
|
320 |
|
g |
IGBT Maksimum Rated Değerler
| Ürün |
Simge |
Koşullar |
Değerler |
Birim |
|
Toplayıcı-vericinin Voltajı
|
VCES |
|
Tvj=25°C |
1200 |
V |
|
Kapı yayıcısının maksimum voltajı
|
VGES |
|
±20 |
V |
|
Geçici kapı-emitör voltajı
|
VGES |
tp≤10μs, D=0.01 |
±30 |
V |
|
Sürekli DC kolektor akımı
|
Ben...C |
|
TC=25°C |
675 |
A |
| TC=100°C |
450 |
|
Pulslu kolektor akımı,tp T ile sınırlıdırjmax
|
ICpulse |
|
900 |
A |
|
Güç dağılımı
|
Ptot |
|
1875 |
W |
Karakteristik Değerler
| Ürün |
Simge |
Koşullar |
Değerler |
Birim |
| - Min. |
Tipik. |
- Max. - Hayır. |
|
Toplayıcı-emitör doymak voltajı
|
VCE (sat) |
Ben...C=450A, VGE=15V |
Tvj=25°C |
|
1.50 |
1.80 |
V
|
| Tvj=125°C |
|
1.65 |
|
| Tvj=150°C |
|
1.70 |
|
|
Geçit eşiği voltajı
|
VGE (th) |
VCE=VGEBen...C=18mA |
5.0 |
5.8 |
6.5 |
V |
|
Toplayıcı-emitör kesme akımı
|
ICES |
VCE=1200V, VGE=0V |
Tvj=25°C |
|
|
100 |
μA |
| Tvj=150°C |
|
|
5 |
mA |
|
Geçit-emitör sızıntı akımı
|
IGES |
VCE=0V,VGE=±20V, Tvj=25°C |
- 200 dolar. |
|
200 |
nA |
|
Geçit Ücreti
|
QG |
VCE=600V, IC=450A, VGE=±15V |
|
5.0 |
|
μC |
|
Girdi Kapasitesi
|
- Evet. |
VCE=25V, VGE=0V, f =100kHz |
|
90.0 |
|
NF
|
|
Çıktı Kapasitesi
|
Coes |
|
2.84 |
|
|
Ters aktarım kapasitesi
|
Cres |
|
0.81 |
|
|
Açılma gecikme süresi, endüktif yük
|
Td ((on) |
VCC=600V,IC=450A RG=1.8Ω,
VGE=15V
|
Tvj=25°C |
|
168 |
|
ns |
| Tvj=125°C |
|
172 |
|
ns |
| Tvj=150°C |
|
176 |
|
ns |
|
Kalkış süresi, endüktif yük
|
tr |
Tvj=25°C |
|
80 |
|
ns |
| Tvj=125°C |
|
88 |
|
ns |
| Tvj=150°C |
|
92 |
|
ns |
|
Kapatma gecikme süresi, endüktif yük
|
Td ((off) |
VCC=600V,IC=450A RG=1.8Ω,
VGE=15V
|
Tvj=25°C |
|
624 |
|
ns |
| Tvj=125°C |
|
668 |
|
ns |
| Tvj=150°C |
|
672 |
|
ns |
|
Düşme zamanı, endüktif yük
|
tf |
Tvj=25°C |
|
216 |
|
ns |
| Tvj=125°C |
|
348 |
|
ns |
| Tvj=150°C |
|
356 |
|
ns |
|
Dökme enerjisi kaybı puls başına
|
Eon |
VCC=600V,IC=450A RG=1.8Ω,
VGE=15V
|
Tvj=25°C |
|
17.2 |
|
MJ |
| Tvj=125°C |
|
27.1 |
|
MJ |
| Tvj=150°C |
|
30.0 |
|
MJ |
|
Patlama başına enerji kaybı kapat
|
Eof |
Tvj=25°C |
|
52.3 |
|
MJ |
| Tvj=125°C |
|
64.3 |
|
MJ |
| Tvj=150°C |
|
67.1 |
|
MJ |
|
SC verileri
|
ISC |
VGE≤15V, VCC=800V |
tp≤10μs Tvj=150°C |
|
|
2000 |
A |
|
IGBT termal direnci, bağlantı kesi
|
RthJC |
|
|
|
0.08 |
K / W |
|
Çalışma sıcaklığı
|
TJop |
|
-40 |
|
150 |
°C |
Diyot Maksimum Rated Değerler
| Ürün |
Simge |
Koşullar |
Değerler |
Birim |
|
Tekrarlanan ters gerilim
|
VRRM |
|
Tvj=25°C |
1200 |
V |
|
Sürekli DC ileri akım
|
Ben...F |
|
450 |
A
|
|
Diyot patlama akımı,tp T ile sınırlıdırJmax
|
IFpulse |
|
900 |
Karakteristik Değerler
| Ürün |
Simge |
Koşullar |
Değerler |
Birim |
| - Min. |
Tipik. |
- Max. - Hayır. |
|
İleri voltaj
|
VF |
Ben...F=450A, VGE=0V |
Tvj=25°C |
|
2.30 |
2.70 |
V
|
| Tvj=125°C |
|
2.50 |
|
| Tvj=150°C |
|
2.50 |
|
|
Geri dönüş süresi
|
trr |
Ben...F=450A
dIF/dt=-5600A/μs (T)vj=150°C) VR=600V,
VGE=-15V
|
Tvj=25°C |
|
134 |
|
ns
|
| Tvj=125°C |
216 |
| Tvj=150°C |
227 |
|
En yüksek ters geri kazanım akımı
|
IRRM |
Tvj=25°C |
|
317 |
|
A
|
| Tvj=125°C |
376 |
| Tvj=150°C |
379 |
|
Döner geri kazanım ücreti
|
QRR |
Tvj=25°C |
|
40.5 |
|
μC
|
| Tvj=125°C |
63.2 |
| Tvj=150°C |
65.4 |
|
Dövme başına ters geri kazanım enerji kaybı
|
Erec |
Tvj=25°C |
|
15.9 |
|
MJ
|
| Tvj=125°C |
27.0 |
| Tvj=150°C |
28.1 |
|
Diyot termal direnci, bağlantı kesi
|
RthJCD |
|
|
|
0.13 |
K / W |
|
Çalışma sıcaklığı
|
TJop |
|
-40 |
|
150 |
°C |
Çıkış Karakteristik (tipik) Çıktı Karakteristik (tipik)
Ben...C= f (V)CE) BenC= f (V)CE) Tvj= 150°C
IGBT
Değiştirme Karakteristik (tipik) Değişim kayıplar IGBT(Tipik)
Ben...C= f (V)GE) E = f (RG)
VCE= 20V VGE= ±15V, IC= 450A, VCE= 600V
IGBT RBSOA
Değişim kayıplar IGBT(tipik) Geri önyargı Güvenli çalıştırmak Bölge ((RBSOA)
E = f (IC) BenC=f (V)CE)
VGE= ±15V, RG= 1.8Ω, VCE= 600V VGE= ±15V, RGoff= 3.3Ω, Tvj= 150°C
Tipik kapasitans -... a) fonksiyon - Ne? toplayıcı-kaydırıcı Voltaj Kapısı yükleme(Tipik)
C = f (V)CE) VGE= f (QG)
f = 100 kHz, VGE= 0V IC= 450A, VCE= 600V
IGBT
IGBT geçici Termal İmpedans -... a) fonksiyon - Ne? Nabız Genişlik İleri Karakteristik - Ne? Diyot (tipik)
Zth(j-c) = f (t) IF= f (V)F)
Değişim kayıplar Diyot (tipik) Değiştirme kayıplar Diyot (tipik)
EReklam= f (RG) EReklam= f (IF)
Ben...F= 450A, VCE= 600V RG= 1.8Ω, VCE= 600V
Diyot geçici Termal İmpedans -... a) fonksiyon - Ne? Nabızgenişliği
Zth(j-c) = f (t)
1200V IGBT (İzole Kapı Bipolar Transistör) 1200 voltluk bir voltaj değerine sahip bir yarı iletken cihazdır.Bu tür cihazlar genellikle güç invertörleri ve motor sürücüleri gibi yüksek voltajlı uygulamalarda kullanılır.
Ana Noktalar:
1. Voltaj Rating (1200V): IGBT'nin taşıyabileceği maksimum voltajı gösterir. Yüksek voltaj kontrolü gerektiren uygulamalar için uygundur,Yüksek güçlü motor sürücüleri ve kesintisiz güç kaynakları gibi.
2Uygulamalar: 1200V IGBT'ler endüstriyel motor sürücüleri, kesintisiz güç kaynakları (UPS), yenilenebilir enerji sistemleri vb. gibi yüksek güç alanlarında yaygındır.Yüksek voltajın hassas kontrolü gerektiğinde.
3. Değişim Hızı: IGBT'ler hızlı bir şekilde açabilir ve kapatabilir, böylece yüksek frekanslı anahtarlama gerektiren uygulamalar için uygundur.Özel anahtarlama özellikleri modeli ve üreticisine bağlıdır.
4. Soğutma Gereksinimleri:** Birçok güç elektronik cihazı gibi, IGBT'ler çalışma sırasında ısı üretir.genellikle cihazın performansını ve güvenilirliğini sağlamak için gereklidir..
5Veri sayfası: Belirli bir 1200V IGBT hakkında ayrıntılı bilgi almak için, üreticinin veri sayfasına başvurmak önemlidir.elektrik özellikleri, ve uygulama ve termal yönetim için kılavuzlar.
Bir devrede veya sistemde 1200V IGBT kullanırken, tasarımcılar, kapı tahrik gereksinimleri, koruma mekanizmaları,ve doğru ve güvenilir çalışmayı sağlamak için termal dikkate.
Çember Şema başlık
Paket çizgiler
Boyutlar (mm)
mm
Mesajınız 20-3.000 karakter arasında olmalıdır!
