Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
Ürünler
Ürünler
Evde > Ürünler > IGBT Modülleri 62mm > Şasi Montaj Sic MOSFET Güç Modülü 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003

Şasi Montaj Sic MOSFET Güç Modülü 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003

Ürün Ayrıntıları

Model numarası: SPS120MB12G6S

Ödeme ve Nakliye Şartları

En İyi Fiyatı Alın
Vurgulamak:

Sic MOSFET Güç Modülü 1200V

,

120A Sic MOSFET Güç Modülü

,

120A Sic MOSFET Modülü

Yapılandırma:
Bekar
Akım - Kollektör (Ic) (Maks):
200A
Akım - Kollektör Darbeli (Icm):
400A
Modül Tipi:
IGBT
Montaj Tipi:
Şasi Montajı
Çalışma sıcaklığı:
-40°C ~ 150°C
Paket / Çanta:
Modül
Paket Türü:
62 mm
Maksimum güç:
600W
Tedarikçi Cihaz Paketi:
62 mm
Vce(açık) (Maks) @ Vge, Ic:
2,5V @ 15V, 100A
Voltaj - Kollektör Verici Dağılımı (Maks.):
1200V
Yapılandırma:
Bekar
Akım - Kollektör (Ic) (Maks):
200A
Akım - Kollektör Darbeli (Icm):
400A
Modül Tipi:
IGBT
Montaj Tipi:
Şasi Montajı
Çalışma sıcaklığı:
-40°C ~ 150°C
Paket / Çanta:
Modül
Paket Türü:
62 mm
Maksimum güç:
600W
Tedarikçi Cihaz Paketi:
62 mm
Vce(açık) (Maks) @ Vge, Ic:
2,5V @ 15V, 100A
Voltaj - Kollektör Verici Dağılımı (Maks.):
1200V
Şasi Montaj Sic MOSFET Güç Modülü 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003

Sıvı Güç-DS-SPS120MB12G6S-S04310003

 

1200V 120A SiC MOSFET Yarısı. Köprü Modül

 

     Şasi Montaj Sic MOSFET Güç Modülü 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 0

Özellikleri:

  • Yüksek frekanslı anahtarlama uygulaması
  • Diyottan sıfır ters geri kazanım akımı
  • MOSFET'ten sıfır kapama kuyruğu akımı
  • Ultra düşük kayıp
  • Paralellemenin Kolaylığı

Tipik Başvurular:

  • İndüksiyon ısıtma
  • Güneş ve Rüzgar Inverterleri
  • DC/DC dönüştürücüler
  • Akü şarj cihazlarıŞasi Montaj Sic MOSFET Güç Modülü 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 1

 

MOSFET

 

Maksimum Değerlendirilmiş değerler/ Maksimum limit değeri

 

Ürün

 

Simge

 

Koşullar

 

Değer

 

Birimler

 

漏极-源极 elektrik basıncı

Çekim kaynağı voltajı

 

VDSS

 

Tvj=25°C

 

1200

 

V

 

devamlı boşluk akış akış

Devamlı DC akış akımı

 

Kimlik

 

VGS=20V, TC=25°C, Tvjmax=175°C

VGS=20V, TC=85°C, Tvjmax=175°C

 

180

 

120

 

 

A

 

脉冲漏极 elektrik akışı

Pulslu drenaj akım

 

Kimlik Nabız

 

Nabız genişliği tpsınırlı tarafındanTvjmax

 

480

 

A

 

toplam güç kaybı

Toplam Güç dağıtım

 

Ptot

 

TC=25°C,Tvjmax=175°C

 

576

 

W

 

¥极峰值 elektrik basıncı

Kapı kaynağı maksimum voltajı

 

VGSS

 

 

-10/25

 

V

 

Karakteristik Değerler/ Özellik değeri

 

Ürün

 

Simge

 

Koşullar

 

- Min. Tipik. - Max. - Hayır.

 

Birimler

 

漏极-源极通态 elektrik direnci

Çöplük kaynağı açık direnci

 

 

RDS( üzerinde)

 

Kimlik=120A,VGS=20V

 

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

 

13.0

16.0 18.0

 

16.0

 

 

极 值 elektrik basıncı

Geçit eşiği voltajı

 

 

VGS ((th)

 

IC=30mA, VCE=VGE, Tvj=25°C

IC=30mA, VCE=VGE, Tvj=150°C

 

2.0

 

2.4

1.7

 

4.0

 

V

 

跨导

 

Transkonduktans

 

Gfs

 

VDS = 20 V, Ben...DS = 120 A, Tvj=25°C

VDS = 20 V, Ben...DS = 120 A, Tvj=150°C

 

68.9

61.8

 

S

 

¥极电荷

Kapı yükleme

 

Merkezi

 

VGE=-5V...+20V

 

474

 

 

nC

 

内部 极电阻 iç 极电阻

İç kapı direniş

 

RGint

 

Tvj=25°C

 

2.2

 

 

Oh

 

giriş elektrik kapasitesi

Girdi kapasitesi

 

- Evet.

 

f=1MHz,TVj=25°C,VDS=1000V, VAC=25mV, VGE=0V

 

 

8850

 

pF

 

çıkış elektrik kapasitesi

Çıkış kapasitans

 

 

Coes

 

f=1MHz,TVj=25°C,VDS=1000V, VAC=25mV, VGE=0V

 

 

564

 

pF

 

Ters yönlü aktarım kapasitesi

Ters aktarım kapasitesi

 

 

Cres

 

f=1MHz,TVj=25°C,VDS=1000V, VAC=25mV, VGE=0V

 

 

66

 

pF

 

零 电压 漏极 电流 零 电压 漏极 elektrik akışı

Sıfır kapı voltajı boşaltma akım

 

IDSS

 

VDS=1200V, VGS=0V, Tvj=25°C

 

300

 

μA

 

-源极 漏电流 (kayıp elektrik akışı)

Geçit kaynağı sızıntı akımı

 

IGSS

 

VDS=0V, VGS=20V, Tvj=25°C

 

100

 

nA

 

开通延迟时间 (Açıklama gecikmesi zamanı)(Elektrik yükü)

Açma Gecikme süresi, endüktif yükleme

 

 

Td( üzerinde)

 

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

 

10

8

 

8

 

ns

ns

ns

 

升时间(Elektrik yükü)

Kalkma zamanı. endüktif yükleme

 

tr

 

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

 

36

34

 

34

 

ns

ns

ns

 

关断延迟时间(Elektrik yükü)

Kapatma gecikme süresi, endüktif yükleme

 

 

Td(Kaldır)

 

Kimlik=120A, VDS=600V

VGS=-5/20V

RGon=3.3Ω

 

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

 

128

140

 

140

 

ns

ns

ns

 

İndirim zamanı(Elektrik yükü)

Sonbahar zamanı. endüktif yükleme

 

Tf

 

RGoff=3.3Ω

= 56 nH

 

İndüktif Yük,

 

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

 

62

62

 

62

 

ns

ns

ns

 

开通损耗能量 açıklık kaybı enerji(Her bir atış.)

Açma Enerji kayıp her Nabız

 

 

Eon

 

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

 

2.35

2.15

2.15

 

MJ

MJ

 

关断损耗能量 (Kısıtlama enerji kaybı)(Her bir atış)

Kapatma enerjisi kayıp her Nabız

 

Eof

 

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

 

1.65

1.80

1.80

 

MJ

MJ

 

 

结-外 热阻

Termal Direniş, juİlişki durum

 

RthJC

 

Per MOSFET / Her biri. MOSFET

 

0.23

 

K/W

 

çalışma sıcaklığı

Sıcaklık veDeğişim koşullar

 

 

Tvjop

 

 

-40 150

 

°C

 

 

Diyot/二极管

 

Maksimum Değerlendirilmiş değerler/ maksimum额定值

 

Ürün

 

Simge

 

Koşullar

 

Değer

 

Birimler

 

devamlı dikey akım elektrik akımı

Devamlı diyot ileriye akım

 

 

Eğer

 

VGS = -5 V, TC = 25 ̊C

 

177

 

A

 

Karakteristik Değerler/ Özellik değeri

 

Ürün

 

Simge

 

Koşullar

 

- Min. Tipik. - Max. - Hayır.

 

Birimler

 

Doğrudan elektrik basıncı

İleri voltaj

 

 

VSD

 

 

Eğer=120A, VGS=0V

 

Tvj=25°C Tvj=150°C

 

 

1.45

1.90

 

 

1.80

 

V

V

 

结-外 热阻

Termal Direniş, juİlişki durum

 

RthJC

 

Diyot başına Her bir diyet.

 

0.30

 

K/W

 

çalışma sıcaklığı

Sıcaklık veDeğişim koşullar

 

Tvjop

 

 

-40 150

 

°C

 

 

Modül/ 模块

 

Ürün

 

Simge

 

Koşullar

 

Değer

 

Birimler

 

绝缘 test elektrik basıncı

İzolasyon test voltajı

 

VISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

2.5

 

 

KV

 

模块基板材料

Malzeme Modül taban plaka

   

 

 

Cu

 

 

内部绝缘

İç İzolasyon

 

 

基本绝缘(sınıf) 1, Ben...AB 61140)

Temel yalıtım (sınıf) 1, IEC 61140)

 

Al2O3

 

 

爬电距离

Sürünme mesafesi

 

 

Sonun-散热片/ terminal to Sıcaklık borusu

Sonun-Sonun/terminal'den terminal'e

 

29.0

23.0

 

 

mm

 

电气间隙 elektrik araları

İzin

 

 

Sonun-散热片/ terminal to Sıcaklık borusu

Sonun-Sonun/terminal'den terminal'e

 

23.0

11.0

 

mm

 

¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥

Karşılaştırmalı takip endeks

 

 

CTI

 

 

 

> 400

 

 

 

Ürün

 

Simge

 

Koşullar

 

- Min.

 

Tipik.

 

- Max. - Hayır.

 

Birimler

 

杂散电感, modul

Çılgın indüktans Modül

 

LsCE

   

 

20

 

 

nH

 

模块 引线电阻 (modül yönlendirme kablosu direnci),Sonun-Çip

Modül kurşun Direnç, terminaller - Çip

 

RCC+EE

 

TC=25°C

 

 

0.465

 

 

 

depolama sıcaklığı

 

Depolama sıcaklığı

 

Tstg

 

 

-40

 

 

125

 

°C

 

模块安装的安装扭矩 模块安装的安装扭矩

Montaj tork Modül Montaj

 

M5

 

 

2.50

 

 

5.00

 

 

Nm

 

端子联接 tork

Terminal bağlantısı tork

 

M6

 

 

3.00

 

 

5.00

 

Nm

 

Ağırlık

 

Ağırlık

 

G

   

 

300

 

 

g

 

 

MOSFET MOSFET

Çıkış özelliği MOSFET (tipik) Çıkış özelliği MOSFET (tipik)

IC=f (VCE) IC=f ((VCE)

Tvj=25°C Tvj=150°C

 

 

  Şasi Montaj Sic MOSFET Güç Modülü 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 2

 

Direnç üzerinde normalleştirilmiş drenaj kaynağı (tipik) Direnç üzerinde normalleştirilmiş drenaj kaynağı (tipik)

RDSon ((P.U.)=f ((Tvj) RDSon=f ((IDS)

IDS=120A VGS=20V VGS=20V

 

 

    Şasi Montaj Sic MOSFET Güç Modülü 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 3

 

 

Direnç üzerine boşaltma kaynağı (tipik) Sınır Voltajı (tipik)

RDSon=f(Tvj) VDS(th)=f(Tvj)

IDS=120A VDS=VGS, IDS=30mA

 

    Şasi Montaj Sic MOSFET Güç Modülü 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 4

 

MOSFET

Transfer özelliği MOSFET (tipik) Diyotun ileri özelliği (tipik)

IDS=f ((VGS) IDS=f ((VDS)

VDS=20V Tvj=25°C

  Şasi Montaj Sic MOSFET Güç Modülü 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 5

   

 

Diyotun ileri karakteri (tipik) karakteri 3rdÇeyreği (tipik)

IDS=f(VDS) IDS=f(VDS

Tvj=150°C Tvj=25°C

   Şasi Montaj Sic MOSFET Güç Modülü 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 6

Şasi Montaj Sic MOSFET Güç Modülü 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 7

3'ün özelliğirdÇeyreği (tipik) Geçit yük karakteri MOSFET (tipik)

IDS=f ((VDS) VGS=f ((QG)

Tvj=150°C VDS=800V, IDS=120A, Tvj=25°C

 

Şasi Montaj Sic MOSFET Güç Modülü 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 8

MOSFET

Kapasite özelliği MOSFET (tipik) Değişim kayıpları MOSFET (tipik)

C=f ((VDS) E=f ((IC)

VGS=0V, Tvj=25°C, f=1MHz VGE=-5/20V, RG=3.3 Ω, VCE=600V

    Şasi Montaj Sic MOSFET Güç Modülü 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 9

Şasi Montaj Sic MOSFET Güç Modülü 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 10

  

MOSFET MOSFET

Değişim kayıpları MOSFET (tipik) Geçici termal impedans MOSFET

E=f (RG) ZthJC=f (t)

VGE=-5/20V, IC=120A, VCE=600V

 

 

      Şasi Montaj Sic MOSFET Güç Modülü 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 11

 

Geçici Termal Impedans Diyodu

ZthJC=f (t)

 

 

 Şasi Montaj Sic MOSFET Güç Modülü 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 12

 

 

 

"1200V 120A SiC MOSFET Half Bridge Modulu" iki Silikon Karbid MOSFET'i yarı köprü yapılandırmasında birleştirir.Voltaj (1200V) ve akım (120A) üzerinde hassas bir kontrol sağlarEtkili soğutma, güvenilir bir çalışma için çok önemlidir ve detaylı özellikler üreticinin veri sayfasında bulunabilir.

 

Çember Şema başlık 

     Şasi Montaj Sic MOSFET Güç Modülü 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 13


 

 

 


Paket çizgiler 

 

 

     Şasi Montaj Sic MOSFET Güç Modülü 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 14