Ürün Ayrıntıları
Model numarası: SPS120MB12G6S
Ödeme ve Nakliye Şartları
Yapılandırma: |
Bekar |
Akım - Kollektör (Ic) (Maks): |
200A |
Akım - Kollektör Darbeli (Icm): |
400A |
Modül Tipi: |
IGBT |
Montaj Tipi: |
Şasi Montajı |
Çalışma sıcaklığı: |
-40°C ~ 150°C |
Paket / Çanta: |
Modül |
Paket Türü: |
62 mm |
Maksimum güç: |
600W |
Tedarikçi Cihaz Paketi: |
62 mm |
Vce(açık) (Maks) @ Vge, Ic: |
2,5V @ 15V, 100A |
Voltaj - Kollektör Verici Dağılımı (Maks.): |
1200V |
Yapılandırma: |
Bekar |
Akım - Kollektör (Ic) (Maks): |
200A |
Akım - Kollektör Darbeli (Icm): |
400A |
Modül Tipi: |
IGBT |
Montaj Tipi: |
Şasi Montajı |
Çalışma sıcaklığı: |
-40°C ~ 150°C |
Paket / Çanta: |
Modül |
Paket Türü: |
62 mm |
Maksimum güç: |
600W |
Tedarikçi Cihaz Paketi: |
62 mm |
Vce(açık) (Maks) @ Vge, Ic: |
2,5V @ 15V, 100A |
Voltaj - Kollektör Verici Dağılımı (Maks.): |
1200V |
Sıvı Güç-DS-SPS120MB12G6S-S04310003
1200V 120A SiC MOSFET Yarısı. Köprü Modül
Özellikleri:
Tipik Başvurular:
MOSFET
Maksimum Değerlendirilmiş değerler/ Maksimum limit değeri |
|||||||
Ürün |
Simge |
Koşullar |
Değer |
Birimler |
|||
漏极-源极 elektrik basıncı Çekim kaynağı voltajı |
VDSS |
Tvj=25°C |
1200 |
V |
|||
devamlı boşluk akış akış Devamlı DC akış akımı |
Kimlik |
VGS=20V, TC=25°C, Tvjmax=175°C VGS=20V, TC=85°C, Tvjmax=175°C |
180
120 |
A |
|||
脉冲漏极 elektrik akışı Pulslu drenaj akım |
Kimlik Nabız |
Nabız genişliği tpsınırlı tarafındanTvjmax |
480 |
A |
|||
toplam güç kaybı Toplam Güç dağıtım |
Ptot |
TC=25°C,Tvjmax=175°C |
576 |
W |
|||
¥极峰值 elektrik basıncı Kapı kaynağı maksimum voltajı |
VGSS |
-10/25 |
V |
||||
Karakteristik Değerler/ Özellik değeri |
|||||||
Ürün |
Simge |
Koşullar |
- Min. Tipik. - Max. - Hayır. |
Birimler |
|||
漏极-源极通态 elektrik direnci Çöplük kaynağı açık direnci |
RDS( üzerinde) |
Kimlik=120A,VGS=20V |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
13.0 16.0 18.0 |
16.0 |
mΩ mΩ mΩ |
|
极 值 elektrik basıncı Geçit eşiği voltajı |
VGS ((th) |
IC=30mA, VCE=VGE, Tvj=25°C IC=30mA, VCE=VGE, Tvj=150°C |
2.0 |
2.4 1.7 |
4.0 |
V |
|
跨导
Transkonduktans |
Gfs |
VDS = 20 V, Ben...DS = 120 A, Tvj=25°C VDS = 20 V, Ben...DS = 120 A, Tvj=150°C |
68.9 61.8 |
S |
|||
¥极电荷 Kapı yükleme |
Merkezi |
VGE=-5V...+20V |
474 |
nC |
|||
内部 极电阻 iç 极电阻 İç kapı direniş |
RGint |
Tvj=25°C |
2.2 |
Oh |
|||
giriş elektrik kapasitesi Girdi kapasitesi |
- Evet. |
f=1MHz,TVj=25°C,VDS=1000V, VAC=25mV, VGE=0V |
8850 |
pF |
|||
çıkış elektrik kapasitesi Çıkış kapasitans |
Coes |
f=1MHz,TVj=25°C,VDS=1000V, VAC=25mV, VGE=0V |
564 |
pF |
|||
Ters yönlü aktarım kapasitesi Ters aktarım kapasitesi |
Cres |
f=1MHz,TVj=25°C,VDS=1000V, VAC=25mV, VGE=0V |
66 |
pF |
|||
零 电压 漏极 电流 零 电压 漏极 elektrik akışı Sıfır kapı voltajı boşaltma akım |
IDSS |
VDS=1200V, VGS=0V, Tvj=25°C |
300 |
μA |
|||
极-源极 漏电流 (kayıp elektrik akışı) Geçit kaynağı sızıntı akımı |
IGSS |
VDS=0V, VGS=20V, Tvj=25°C |
100 |
nA |
|||
开通延迟时间 (Açıklama gecikmesi zamanı)(Elektrik yükü) Açma Gecikme süresi, endüktif yükleme |
Td( üzerinde) |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
10 8
8 |
ns ns ns |
|||
升时间(Elektrik yükü) Kalkma zamanı. endüktif yükleme |
tr |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
36 34
34 |
ns ns ns |
|||
关断延迟时间(Elektrik yükü) Kapatma gecikme süresi, endüktif yükleme |
Td(Kaldır) |
Kimlik=120A, VDS=600V VGS=-5/20V RGon=3.3Ω |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
128 140
140 |
ns ns ns |
||
İndirim zamanı(Elektrik yükü) Sonbahar zamanı. endüktif yükleme |
Tf |
RGoff=3.3Ω Lσ = 56 nH
İndüktif Yük, |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
62 62
62 |
ns ns ns |
||
开通损耗能量 açıklık kaybı enerji(Her bir atış.) Açma Enerji kayıp her Nabız |
Eon |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
2.35 2.15 2.15 |
MJ MJ |
|||
关断损耗能量 (Kısıtlama enerji kaybı)(Her bir atış) Kapatma enerjisi kayıp her Nabız |
Eof |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
1.65 1.80 1.80 |
MJ MJ |
结-外 热阻 Termal Direniş, juİlişki durum |
RthJC |
Per MOSFET / Her biri. MOSFET |
0.23 |
K/W |
||
çalışma sıcaklığı Sıcaklık veDeğişim koşullar |
Tvjop |
-40 150 |
°C |
|||
Diyot/二极管
Maksimum Değerlendirilmiş değerler/ maksimum额定值 |
||||||
Ürün |
Simge |
Koşullar |
Değer |
Birimler |
||
devamlı dikey akım elektrik akımı Devamlı diyot ileriye akım |
Eğer |
VGS = -5 V, TC = 25 ̊C |
177 |
A |
||
Karakteristik Değerler/ Özellik değeri |
||||||
Ürün |
Simge |
Koşullar |
- Min. Tipik. - Max. - Hayır. |
Birimler |
||
Doğrudan elektrik basıncı İleri voltaj |
VSD |
Eğer=120A, VGS=0V |
Tvj=25°C Tvj=150°C |
1.45 1.90 |
1.80 |
V V |
结-外 热阻 Termal Direniş, juİlişki durum |
RthJC |
Diyot başına Her bir diyet. |
0.30 |
K/W |
||
çalışma sıcaklığı Sıcaklık veDeğişim koşullar |
Tvjop |
-40 150 |
°C |
Modül/ 模块 |
||||
Ürün |
Simge |
Koşullar |
Değer |
Birimler |
绝缘 test elektrik basıncı İzolasyon test voltajı |
VISOL |
RMS, f=50Hz, t=1min |
2.5 |
KV |
模块基板材料 Malzeme Modül taban plaka |
Cu |
|||
内部绝缘 İç İzolasyon |
基本绝缘(sınıf) 1, Ben...AB 61140) Temel yalıtım (sınıf) 1, IEC 61140) |
Al2O3 |
||
爬电距离 Sürünme mesafesi |
Sonun-散热片/ terminal to Sıcaklık borusu Sonun-Sonun/terminal'den terminal'e |
29.0 23.0 |
mm |
|
电气间隙 elektrik araları İzin |
Sonun-散热片/ terminal to Sıcaklık borusu Sonun-Sonun/terminal'den terminal'e |
23.0 11.0 |
mm |
|
¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ Karşılaştırmalı takip endeks |
CTI |
> 400 |
Ürün |
Simge |
Koşullar |
- Min. |
Tipik. |
- Max. - Hayır. |
Birimler |
杂散电感, modul Çılgın indüktans Modül |
LsCE |
20 |
nH |
|||
模块 引线电阻 (modül yönlendirme kablosu direnci),Sonun-Çip Modül kurşun Direnç, terminaller - Çip |
RCC+EE |
TC=25°C |
0.465 |
mΩ |
||
depolama sıcaklığı
Depolama sıcaklığı |
Tstg |
-40 |
125 |
°C |
||
模块安装的安装扭矩 模块安装的安装扭矩 Montaj tork Modül Montaj |
M5 |
2.50 |
5.00 |
Nm |
||
端子联接 tork Terminal bağlantısı tork |
M6 |
3.00 |
5.00 |
Nm |
||
Ağırlık
Ağırlık |
G |
300 |
g |
MOSFET MOSFET
Çıkış özelliği MOSFET (tipik) Çıkış özelliği MOSFET (tipik)
IC=f (VCE) IC=f ((VCE)
Tvj=25°C Tvj=150°C
Direnç üzerinde normalleştirilmiş drenaj kaynağı (tipik) Direnç üzerinde normalleştirilmiş drenaj kaynağı (tipik)
RDSon ((P.U.)=f ((Tvj) RDSon=f ((IDS)
IDS=120A VGS=20V VGS=20V
Direnç üzerine boşaltma kaynağı (tipik) Sınır Voltajı (tipik)
RDSon=f(Tvj) VDS(th)=f(Tvj)
IDS=120A VDS=VGS, IDS=30mA
MOSFET
Transfer özelliği MOSFET (tipik) Diyotun ileri özelliği (tipik)
IDS=f ((VGS) IDS=f ((VDS)
VDS=20V Tvj=25°C
Diyotun ileri karakteri (tipik) karakteri 3rdÇeyreği (tipik)
IDS=f(VDS) IDS=f(VDS
Tvj=150°C Tvj=25°C
3'ün özelliğirdÇeyreği (tipik) Geçit yük karakteri MOSFET (tipik)
IDS=f ((VDS) VGS=f ((QG)
Tvj=150°C VDS=800V, IDS=120A, Tvj=25°C
MOSFET
Kapasite özelliği MOSFET (tipik) Değişim kayıpları MOSFET (tipik)
C=f ((VDS) E=f ((IC)
VGS=0V, Tvj=25°C, f=1MHz VGE=-5/20V, RG=3.3 Ω, VCE=600V
MOSFET MOSFET
Değişim kayıpları MOSFET (tipik) Geçici termal impedans MOSFET
E=f (RG) ZthJC=f (t)
VGE=-5/20V, IC=120A, VCE=600V
Geçici Termal Impedans Diyodu
ZthJC=f (t)
"1200V 120A SiC MOSFET Half Bridge Modulu" iki Silikon Karbid MOSFET'i yarı köprü yapılandırmasında birleştirir.Voltaj (1200V) ve akım (120A) üzerinde hassas bir kontrol sağlarEtkili soğutma, güvenilir bir çalışma için çok önemlidir ve detaylı özellikler üreticinin veri sayfasında bulunabilir.
Çember Şema başlık
Paket çizgiler