Ürün Ayrıntıları
Model numarası: SPS200B12G6H4
Ödeme ve Nakliye Şartları
Kollektör akımı: |
100A |
Toplayıcı-Emitör Doygunluk Gerilimi: |
2.5V |
Toplayıcı-emitör gerilimi: |
±1200V |
Güncel Beğeni: |
100A |
Gate-Emitter Kaçak Akımı: |
±10μA |
Gate-emitör eşik gerilimi: |
5V |
Kapı yayıcı voltajı: |
±20V |
Maksimum Çalışma Sıcaklığı: |
150°C |
Modül Tipi: |
IGBT |
Paket Türü: |
62 mm |
Kısa devre dayanım süresi: |
10μs |
Frekans değiştirme: |
20KHz |
Isıl direnç: |
0.1°C/W |
Rating Voltajı: |
1200V |
Kollektör akımı: |
100A |
Toplayıcı-Emitör Doygunluk Gerilimi: |
2.5V |
Toplayıcı-emitör gerilimi: |
±1200V |
Güncel Beğeni: |
100A |
Gate-Emitter Kaçak Akımı: |
±10μA |
Gate-emitör eşik gerilimi: |
5V |
Kapı yayıcı voltajı: |
±20V |
Maksimum Çalışma Sıcaklığı: |
150°C |
Modül Tipi: |
IGBT |
Paket Türü: |
62 mm |
Kısa devre dayanım süresi: |
10μs |
Frekans değiştirme: |
20KHz |
Isıl direnç: |
0.1°C/W |
Rating Voltajı: |
1200V |
Solid Power-DS-SPS200B12G6H4-S04020005
1200V 200A IGBT Yarısı. Köprü Modül
Özellikleri:
Tipik Başvurular:
IGBT, Değiştiriciler / IGBTTers Değişken
Maksimum Değerlendirilmiş değerler/ Maksimum limit değeri |
|||||||
Ürün |
Simge |
Koşullar |
Değer |
Birimler |
|||
集电极- 发射极 elektrik basıncı Toplayıcı-vericilerVoltaj |
VCES |
Tvj=25°C |
1200 |
V |
|||
連続集電極直流電流 Devamlı DC KolyeCtor akımı |
Ben...C |
TC = 100°C, Tvj En fazla= 175°C TC = 25°C, Tvj En fazla= 175°C |
200
280 |
A A |
|||
集电极重复峰值 elektrik akışı Zirve tekrar etİşe yarayan Kollektor akımı |
Ben...CRM |
tp=1ms |
400 |
A |
|||
toplam güç kaybı Toplam Güç Çözünİlişki |
PÇeviri |
TC=25°C, Tvj=175°C |
1070 |
W |
|||
¥极- ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ Maksimum kapakE-emitör voltajı |
VGES |
±20 |
V |
||||
Karakteristik Değerler/ Özellik değeri |
|||||||
Ürün |
Simge |
Koşullar |
- Min. Tipik. - Max. - Hayır. |
Birimler |
|||
集电极- 发射极 和电压 Toplayıcı-emitör saturatiVoltajda |
VCE(oturmuş) |
Ben...C=200A,VGE=15V |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
1.50 |
2.40 2.95 3.00 |
3.00 |
V V V |
极 值 elektrik basıncı Geçit eşiğiVoltaj |
VGE(th) |
Ben...C=8mA, VCE=VGE, Tvj=25°C |
5.0 6.0 7.0 |
V |
|||
¥极电荷 Kapı yükleme |
QG |
VGE=-15V... +15V |
0.8 |
μC |
|||
内部 极电阻 iç 极电阻 İç kapı direniş |
RGint |
Tvj=25°C |
2.5 |
Oh |
|||
giriş elektrik kapasitesi Giriş limitiacitance |
C- Evet. |
f=1MHz, Tvj=25°C, VCE=25V, VGE=0V |
8.76 |
NF |
|||
Ters yönlü aktarım kapasitesi Geri dönüşSfer kapasitesi |
CRes |
f=1MHz, Tvj=25°C, VCE=25V, VGE=0V |
0.40 |
NF |
|||
集电极-发射极截止电流 (sürücü uçları) Toplayıcı-vericiler kesinti crenti |
Ben...CES |
VCE=1200V, VGE=0V, Tvj=25°C |
5.00 |
mA |
|||
极-发射极 漏电流 fırlatma derecesi elektrik akışı Kapı yayıcısı sızıntı akım |
Ben...GES |
VCE=0V, VGE=20V, Tvj=25°C |
200 |
nA |
|||
开通延迟时间 (Açıklama gecikmesi zamanı)(Elektrik yükü) Açma Gecikme süresi, endüktif yükleme |
td( üzerinde) |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
65 75
75 |
ns ns ns |
|||
升时间(Elektrik yükü) Kalkma zamanı. endüktif yükleme |
tr |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
45 55
55 |
ns ns ns |
|||
关断延迟时间(Elektrik yükü) Çıkış dElay zamanı, endüktif yükleme |
td(Kaldır) |
Ben...C=200A, VCE=600V VGE=±15V RGon.=3.3 Ω RGoff=3.3 Ω
İndüktif Lo.İlan |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
205 230
235 |
ns ns ns |
||
İndirim zamanı(Elektrik yükü) Sonbahar zamanı. endüktif yükleme |
tf |
55 85
85 |
ns ns ns |
||||
开通损耗能量 açıklık kaybı enerji(Her bir atış.) Açma Enerji kayıp her - Evet.İse. |
Eüzerinde |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
16.7 26.4 28.2 |
MJ MJ MJ |
|||
关断损耗能量 (Kısıtlama enerji kaybı)(Her bir atış) Kapatma enerjisi kayıp her Nabız |
EKaldır |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
4.9 8.8 9.6 |
MJ MJ MJ |
|||
短路数据 SC veriler |
Ben...SC |
VGE≤15V, VCC=800V VCEmax=VCES- Ben...SCE·di/dt, tp=10μs, Tvj=150°C |
800 |
A |
|||
结-外 热阻 Termal Direniş, juİlişki durum |
RthJC |
Per IGBT / Her biri. IGBT |
0.14 |
K/W |
çalışma sıcaklığı Sıcaklık veDeğişim koşullar |
Tvjop |
-40 |
150 |
°C |
|||
Diyot, Inverter/ 二极管, geri dönüştürücü Maksimum Değerlendirilmiş değerler/ maksimum额定值 |
|||||||
Ürün |
C sembolükoşullar |
Değer |
Birimler |
||||
Ters yönlü tekrarlı zirve elektrik basıncı Zirve tekrar edici Ters voltaje |
VRRM Tvj=25°C |
1200 |
V |
||||
Sürekli doğru akış elektrik akışı Devamlı DC içinBölüm akımı |
Ben...F |
200 |
A |
||||
正向重复 zirve elektrik akımı Zirve Tekrarlanan ileri akım |
Ben...FRM tp=1ms |
400 |
A |
||||
Karakteristik Değerler/ Özellik değeri |
|||||||
Ürün |
SimgeKoşullar |
- Min. Tipik. |
- Max. - Hayır. |
Birimler |
|||
Doğrudan elektrik basıncı İleri voltaj |
VF Ben...F=200A |
Tvj=25°C Tvj=125°CTvj=150°C |
1.50 |
1.80 1.80 1.80 |
2.40 |
V V V |
|
Geriye dönük gerileme zirve akışı
Zirve Geriye dön kurtarma crenti |
Ben...RM
Qr
EReklam |
Ben...F=200A -di/dt=3200A/μs VR = 600V
VGE=-15V |
Tvj=25°C Tvj=125°CTvj=150°CTvj=25°C Tvj=125°CTvj=150°CTvj=25°C Tvj=125°CTvj=150°C |
140 140
140 |
A A A |
||
Geriye doğru geri yük İstihdam ücreti |
14.5 22.528.0 |
μC μC μC |
|||||
Geri dönüşüm kaybı (her darbe) Geriye dön. kurtarma Enerji (per Nabız) |
4.5 8.7 9.9 |
MJ MJ MJ |
|||||
结-外 热阻 Termal Direniş, juİlişki durum |
RthJC Diyot başına Her gün个二极管 |
0.23 |
K/W |
||||
çalışma sıcaklığı Sıcaklık veDeğişim koşullar |
Tvjop |
-40 |
150 |
°C |
Modül/ 模块 |
||||
Ürün |
Simge |
Koşullar |
Değer |
Birimler |
绝缘 test elektrik basıncı İzolasyonTest voltajı |
VISOL |
RMS, f=50Hz, t=1min |
3.0 |
KV |
模块基板材料 Malzeme Modül taban plaka |
Cu |
|||
内部绝缘 İç İzolasyon |
基本绝缘(sınıf) 1, Ben...AB 61140) Temel yalıtım (sınıf) 1, IEC 61140) |
Al2O.3 |
||
爬电距离 ÇılgınlıkTANCE |
Sonun-散热片/ terminal to Sıcaklık borusu Sonun-Sonun/terminal to terMinal |
29.0 23.0 |
mm |
|
电气间隙 elektrik araları İzin |
Sonun-散热片/ terminal to Sıcaklık borusu Sonun-Sonun/terminal to terMinal |
23.0 11.0 |
mm |
|
¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ Karşılaştırıcıİzleme endeks |
CTI |
> 400 |
Ürün |
Simge |
Koşullar |
- Min. |
Tipik. |
- Max. - Hayır. |
Birimler |
杂散电感,模块 杂散电感,模块 杂散电感, modu Çılgın indüktans Modül |
LSCE |
20 |
nH |
|||
模块引脚电阻, Sonun-Çip
Modül Kurşun Direniş ,Terminal-Ckalça |
RCC??+EE RAA+CC?? |
0.7 |
mΩ |
|||
depolama sıcaklığı
Depolamaperature |
Tstg |
-40 |
125 |
°C |
||
模块安装的安装扭距 Montaj torNe için? Modül Montaj |
M |
M6 |
3.00 |
6.00 |
Nm |
|
端子联接 dönme mesafesi Terminal bağlantısın tork |
M |
M6 |
2.50 |
5.00 |
Nm |
|
Ağırlık
Ağırlık |
G |
320 |
g |
IGBT IGBT
Çıkış özelliği IGBT, Inverter (tipik) Çıkış özelliği IGBT, Inverter (tipik)
Ben...C=f (V)CE) BenC=f(VCE)
VGE=15V Tvj=150°C
IGBT IGBT
Transfer özelliği IGBT, Inverter (tipik) Transfer özelliği IGBT, Inverter (tipik)
IC=f (VGE) E=f (IC), Eoff=f (IC)
VCE=20V VGE=±15V, RGon=3.3 Ω, RGoff=3.3 Ω, VCE=600V
IGBT IGBT
Değiştirme kayıpları IGBT, Inverter (tipik) Geçici termal impedans IGBT, Inverter
E=f (RG) ZthJC=f (t)
VGE=±15V, IC=200A, VCE=600V
IGBT
Ters yanlısı güvenli çalışma alanı IGBT, Inverter (RBSOA) Diyotun ileri karakteri, Inverter (tipik)
IC=f (VCE) IF=f (VF)
VGE=±15V, RGoff=3.3 Ω, Tvj=150°C
Değiştirme kayıpları Diyot, Inverter (tipik) Değiştirme kayıpları Diyot, Inverter (tipik)
Erec=f (IF) Erec=f (RG)
RGon=3.3Ω, VCE=600V IF=200A, VCE=600V
FRD
Geçici termal impedans FRD, Inverter
ZthJC=f (t)
"1200V 200A IGBT Yarım Köprü Modülü", orta ve yüksek voltaj ve akım seviyelerinin kontrolüne ihtiyaç duyan uygulamalar için iki IGBT'yi yarı köprü yapılandırmasında birleştirir.Etkili soğutma çok önemlidir., ve detaylı özellikleri üreticinin veri sayfasında bulunabilir.
Çember Şema başlık
Paket çizgiler