Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
Ürünler
Ürünler
Evde > Ürünler > IGBT Modülleri 62mm > 200A 1200V IGBT Yarım Köprü Modülü 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005

200A 1200V IGBT Yarım Köprü Modülü 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005

Ürün Ayrıntıları

Model numarası: SPS200B12G6H4

Ödeme ve Nakliye Şartları

En İyi Fiyatı Alın
Vurgulamak:

200A IGBT Yarım Köprü Modülü

,

200A Yarım Köprü Modülü

,

62mm IGBT Yarım Köprü Modülü

Kollektör akımı:
100A
Toplayıcı-Emitör Doygunluk Gerilimi:
2.5V
Toplayıcı-emitör gerilimi:
±1200V
Güncel Beğeni:
100A
Gate-Emitter Kaçak Akımı:
±10μA
Gate-emitör eşik gerilimi:
5V
Kapı yayıcı voltajı:
±20V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:
150°C
Modül Tipi:
IGBT
Paket Türü:
62 mm
Kısa devre dayanım süresi:
10μs
Frekans değiştirme:
20KHz
Isıl direnç:
0.1°C/W
Rating Voltajı:
1200V
Kollektör akımı:
100A
Toplayıcı-Emitör Doygunluk Gerilimi:
2.5V
Toplayıcı-emitör gerilimi:
±1200V
Güncel Beğeni:
100A
Gate-Emitter Kaçak Akımı:
±10μA
Gate-emitör eşik gerilimi:
5V
Kapı yayıcı voltajı:
±20V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:
150°C
Modül Tipi:
IGBT
Paket Türü:
62 mm
Kısa devre dayanım süresi:
10μs
Frekans değiştirme:
20KHz
Isıl direnç:
0.1°C/W
Rating Voltajı:
1200V
200A 1200V IGBT Yarım Köprü Modülü 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005

 

 

Solid Power-DS-SPS200B12G6H4-S04020005


1200V 200A IGBT Yarısı. Köprü Modül

 

200A 1200V IGBT Yarım Köprü Modülü 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 0

 

Özellikleri:

  • 1200V düz alan durma teknolojisi
  • Hızlı ve yumuşak ters geri kazanımlı serbest diyotlar
  • Düşük değişim kayıpları
  • Yüksek RBSOA yeteneği

 

Tipik Başvurular:

  • Indüktif ısıtma
  • Saldırma
  • Yüksek frekanslı anahtarlama uygulaması

 

IGBT, Değiştiriciler / IGBTTers Değişken

 

Maksimum Değerlendirilmiş değerler/ Maksimum limit değeri

 

Ürün

 

Simge

 

Koşullar

 

Değer

 

Birimler

 

集电极- 发射极 elektrik basıncı

Toplayıcı-vericilerVoltaj

 

VCES

 

Tvj=25°C

 

1200

 

V

 

連続集電極直流電流

Devamlı DC KolyeCtor akımı

 

Ben...C

 

TC = 100°C, Tvj En fazla= 175°C

TC = 25°C, Tvj En fazla= 175°C

 

200

 

280

 

A

A

 

集电极重复峰值 elektrik akışı

Zirve tekrar etİşe yarayan Kollektor akımı

 

Ben...CRM

 

tp=1ms

 

400

 

A

 

toplam güç kaybı

Toplam Güç Çözünİlişki

 

PÇeviri

 

TC=25°C, Tvj=175°C

 

1070

 

W

 

¥极- ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥

Maksimum kapakE-emitör voltajı

 

VGES

 

 

±20

 

V

 

 

 

Karakteristik Değerler/ Özellik değeri

 

Ürün

 

Simge

 

Koşullar

 

- Min. Tipik. - Max. - Hayır.

 

Birimler

 

集电极- 发射极 和电压

Toplayıcı-emitör saturatiVoltajda

 

VCE(oturmuş)

 

Ben...C=200A,VGE=15V

 

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

 

1.50

 

2.40

2.95

3.00

 

3.00

 

V

V

V

 

极 值 elektrik basıncı

Geçit eşiğiVoltaj

 

 

VGE(th)

 

Ben...C=8mA, VCE=VGE, Tvj=25°C

 

 

5.0 6.0 7.0

 

V

 

¥极电荷

Kapı yükleme

 

QG

 

 

VGE=-15V... +15V

 

0.8

 

μC

 

内部 极电阻 iç 极电阻

İç kapı direniş

 

RGint

 

Tvj=25°C

 

 

2.5

 

Oh

 

giriş elektrik kapasitesi

Giriş limitiacitance

 

C- Evet.

 

f=1MHz, Tvj=25°C, VCE=25V, VGE=0V

 

8.76

 

NF

 

Ters yönlü aktarım kapasitesi

Geri dönüşSfer kapasitesi

 

CRes

 

f=1MHz, Tvj=25°C, VCE=25V, VGE=0V

 

 

0.40

 

NF

 

集电极-发射极截止电流 (sürücü uçları)

Toplayıcı-vericiler kesinti crenti

 

 

Ben...CES

 

VCE=1200V, VGE=0V, Tvj=25°C

 

5.00

 

 

mA

 

-发射极 漏电流 fırlatma derecesi elektrik akışı

Kapı yayıcısı sızıntı akım

 

Ben...GES

 

 

VCE=0V, VGE=20V, Tvj=25°C

 

200

 

nA

 

开通延迟时间 (Açıklama gecikmesi zamanı)(Elektrik yükü)

Açma Gecikme süresi, endüktif yükleme

 

td( üzerinde)

 

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

 

65

75

 

75

 

ns

ns

ns

 

升时间(Elektrik yükü)

Kalkma zamanı. endüktif yükleme

 

tr

 

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

 

45

55

 

55

 

ns

ns

ns

 

关断延迟时间(Elektrik yükü)

Çıkış dElay zamanı, endüktif yükleme

 

td(Kaldır)

 

Ben...C=200A, VCE=600V

VGE=±15V

RGon.=3.3 Ω

RGoff=3.3 Ω

 

İndüktif Lo.İlan

 

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

 

205

230

 

235

 

ns

ns

ns

 

İndirim zamanı(Elektrik yükü)

Sonbahar zamanı. endüktif yükleme

 

 

tf

 

55

85

 

85

 

ns

ns

ns

 

开通损耗能量 açıklık kaybı enerji(Her bir atış.)

Açma Enerji kayıp her - Evet.İse.

 

Eüzerinde

 

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

 

16.7

26.4

28.2

 

MJ

MJ

MJ

 

关断损耗能量 (Kısıtlama enerji kaybı)(Her bir atış)

Kapatma enerjisi kayıp her Nabız

 

 

EKaldır

 

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

 

4.9

8.8

9.6

 

MJ

MJ

MJ

 

短路数据

SC veriler

 

Ben...SC

 

VGE≤15V, VCC=800V

VCEmax=VCES- Ben...SCE·di/dt, tp=10μs, Tvj=150°C

 

 

800

 

A

 

结-外 热阻

Termal Direniş, juİlişki durum

 

RthJC

 

Per IGBT / Her biri. IGBT

 

0.14

 

K/W

 

 

çalışma sıcaklığı

Sıcaklık veDeğişim koşullar

 

Tvjop

 

-40

 

150

 

 

°C

 

 

Diyot, Inverter/ 二极管, geri dönüştürücü

Maksimum Değerlendirilmiş değerler/ maksimum额定值

 

Ürün

 

C sembolükoşullar

 

Değer

 

 

Birimler

 

Ters yönlü tekrarlı zirve elektrik basıncı

Zirve tekrar edici Ters voltaje

 

VRRM Tvj=25°C

 

1200

 

 

 

V

 

Sürekli doğru akış elektrik akışı

Devamlı DC içinBölüm akımı

 

Ben...F

 

200

 

 

A

 

正向重复 zirve elektrik akımı

Zirve Tekrarlanan ileri akım

 

 

Ben...FRM tp=1ms

 

400

 

 

A

 

 

 

Karakteristik Değerler/ Özellik değeri

 

Ürün

 

SimgeKoşullar

 

- Min. Tipik.

 

- Max. - Hayır.

 

Birimler

 

Doğrudan elektrik basıncı

İleri voltaj

 

VF Ben...F=200A

 

Tvj=25°C Tvj=125°CTvj=150°C

 

1.50

 

1.80

1.80

1.80

 

2.40

 

V

V

V

 

Geriye dönük gerileme zirve akışı

 

Zirve Geriye dön kurtarma crenti

 

Ben...RM

 

 

Qr

 

 

 

EReklam

 

 

Ben...F=200A

-di/dt=3200A/μs VR = 600V

 

VGE=-15V

 

Tvj=25°C Tvj=125°CTvj=150°CTvj=25°C Tvj=125°CTvj=150°CTvj=25°C Tvj=125°CTvj=150°C

 

140

140

 

140

 

 

A

A

A

 

Geriye doğru geri yük

İstihdam ücreti

 

14.5

22.528.0

 

 

μC

μC

μC

 

Geri dönüşüm kaybı (her darbe)

Geriye dön. kurtarma Enerji (per Nabız)

 

4.5

8.7 9.9

 

 

MJ

MJ

MJ

 

结-外 热阻

Termal Direniş, juİlişki durum

 

RthJC Diyot başına Her gün个二极管

 

 

 

0.23

 

K/W

 

çalışma sıcaklığı

Sıcaklık veDeğişim koşullar

 

 

Tvjop

 

-40

 

150

 

°C

 

 

 

 

Modül/ 模块

 

Ürün

 

Simge

 

Koşullar

 

Değer

 

Birimler

 

绝缘 test elektrik basıncı

İzolasyonTest voltajı

 

VISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

3.0

 

 

KV

 

模块基板材料

Malzeme Modül taban plaka

   

 

 

Cu

 

 

内部绝缘

İç İzolasyon

 

 

基本绝缘(sınıf) 1, Ben...AB 61140)

Temel yalıtım (sınıf) 1, IEC 61140)

 

Al2O.3

 

 

爬电距离

ÇılgınlıkTANCE

 

 

Sonun-散热片/ terminal to Sıcaklık borusu

Sonun-Sonun/terminal to terMinal

 

29.0

23.0

 

 

mm

 

电气间隙 elektrik araları

İzin

 

 

Sonun-散热片/ terminal to Sıcaklık borusu

Sonun-Sonun/terminal to terMinal

 

23.0

11.0

 

mm

 

¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥

Karşılaştırıcıİzleme endeks

 

 

CTI

 

 

 

> 400

 

 

 

Ürün

 

Simge

 

Koşullar

 

- Min.

 

Tipik.

 

- Max. - Hayır.

 

Birimler

 

杂散电感,模块 杂散电感,模块 杂散电感, modu

Çılgın indüktans Modül

 

LSCE

   

 

20

 

 

nH

 

模块引脚电阻, Sonun-Çip

 

Modül Kurşun Direniş ,Terminal-Ckalça

 

RCC??+EE

RAA+CC??

   

 

0.7

 

 

 

depolama sıcaklığı

 

Depolamaperature

 

Tstg

 

 

 

-40

 

 

 

125

 

 

°C

 

模块安装的安装扭距

Montaj torNe için? Modül Montaj

 

 

M

 

M6

 

3.00

 

 

6.00

 

 

Nm

 

端子联接 dönme mesafesi

Terminal bağlantısın tork

 

M

 

M6

 

2.50

 

 

5.00

 

Nm

 

Ağırlık

 

Ağırlık

 

G

   

 

320

 

 

g

 

200A 1200V IGBT Yarım Köprü Modülü 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 1 

IGBT IGBT

Çıkış özelliği IGBT, Inverter (tipik) Çıkış özelliği IGBT, Inverter (tipik)

Ben...C=f (V)CE) BenC=f(VCE)

VGE=15V              Tvj=150°C

 

 

 

200A 1200V IGBT Yarım Köprü Modülü 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 2

 

IGBT IGBT

Transfer özelliği IGBT, Inverter (tipik) Transfer özelliği IGBT, Inverter (tipik)

IC=f (VGE) E=f (IC), Eoff=f (IC)

VCE=20V VGE=±15V, RGon=3.3 Ω, RGoff=3.3 Ω, VCE=600V

 

200A 1200V IGBT Yarım Köprü Modülü 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 3

IGBT IGBT

Değiştirme kayıpları IGBT, Inverter (tipik) Geçici termal impedans IGBT, Inverter

E=f (RG) ZthJC=f (t)

VGE=±15V, IC=200A, VCE=600V

 

  200A 1200V IGBT Yarım Köprü Modülü 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 4

 

IGBT

Ters yanlısı güvenli çalışma alanı IGBT, Inverter (RBSOA) Diyotun ileri karakteri, Inverter (tipik)

IC=f (VCE) IF=f (VF)

VGE=±15V, RGoff=3.3 Ω, Tvj=150°C

 

200A 1200V IGBT Yarım Köprü Modülü 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 5

 

 

Değiştirme kayıpları Diyot, Inverter (tipik) Değiştirme kayıpları Diyot, Inverter (tipik)

Erec=f (IF) Erec=f (RG)

RGon=3.3Ω, VCE=600V IF=200A, VCE=600V

 

200A 1200V IGBT Yarım Köprü Modülü 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 6

FRD

Geçici termal impedans FRD, Inverter

ZthJC=f (t)

 

 

200A 1200V IGBT Yarım Köprü Modülü 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 7

 

"1200V 200A IGBT Yarım Köprü Modülü", orta ve yüksek voltaj ve akım seviyelerinin kontrolüne ihtiyaç duyan uygulamalar için iki IGBT'yi yarı köprü yapılandırmasında birleştirir.Etkili soğutma çok önemlidir., ve detaylı özellikleri üreticinin veri sayfasında bulunabilir.

200A 1200V IGBT Yarım Köprü Modülü 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 8

Çember Şema başlık 

 

200A 1200V IGBT Yarım Köprü Modülü 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 9

 

 

Paket çizgiler

 

200A 1200V IGBT Yarım Köprü Modülü 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 10