1200V 300A SiC MOSFET Yarım Köprü Modülü Yarım iletken DS-SPS300MB12G6S-S04310004
Solid Power-DS-SPS300MB12G6S-S04310004
1200V 300A SiC MOSFET Yarısı. Köprü Modül
Özellikleri:
- Yüksek frekanslı anahtarlama uygulaması
- Diyottan sıfır ters geri kazanım akımı
- MOSFET'ten sıfır kapama kuyruğu akımı
- Ultra düşük kayıp
- Paralellemenin Kolaylığı
Tipik Başvurular:
- İndüksiyon ısıtma
- Güneş ve Rüzgar Inverterleri
- DC/DC dönüştürücüler
- Akü şarj cihazları
|
MOSFET
Maksimum Değerlendirilmiş değerler/ Maksimum miktar值
|
|
Ürün
|
Simge
|
Koşullar
|
Değer
|
Birimler
|
|
漏极-源极 elektrik basıncı
Çekim kaynağı voltajı
|
VDSS
|
Tvj=25°C
|
1200
|
V
|
|
devamlı boşluk akış akış
Devam edin.s DC akış akımı
|
Ben...D
|
VGS=20V, TC=25°C, Tvjmax=175°C
VGS=20V, TC=85°C, Tvjmax=175°C
|
400
300
|
A
|
|
脉冲漏极 elektrik akışı
Pulslu drenaj akım
|
Ben...D Nabız
|
Nabız genişliği tpsınırlı tarafındanTvjmax
|
1200
|
A
|
|
toplam güç kaybı
Toplam Güç Çözünİlişki
|
PÇeviri
|
TC=25°C,Tvjmax=175°C
|
1153
|
W
|
|
¥极峰值 elektrik basıncı
Maksimum kapı- Kaynak voltajı
|
VGSS
|
|
-10/25
|
V
|
|
Karakterdeğerleri/ Özellik değeri
|
|
Ürün
|
Simge
|
Koşullar
|
- Min. Tipik. - Max. - Hayır.
|
Birimler
|
|
漏极-源极通态 elektrik direnci
Çöplük kaynağı açık direnci
|
RDS( üzerinde)
|
Ben...D=300A,VGS=20V
|
Tvj=25°C
Tvj=125°C
Tvj=150°C
|
4.0
5.4 6.0
|
5.6
|
mΩ
mΩ
mΩ
|
|
极 值 elektrik basıncı
Kapı eşiğiVoltaj
|
VGS(th)
|
Ben...C=90mA, VCE=VGE, Tvj=25°C
Ben...C=90mA, VCE=VGE, Tvj=150°C
|
1.9
|
2.4
1.6
|
4.0
|
V
|
|
跨导
Transkonduktans
|
Gfs
|
VDS = 20 V, Ben...DS = 300 A, Tvj=25°C
VDS = 20 V, Ben...DS = 300 A, Tvj=150°C
|
211
186
|
S
|
|
¥极电荷
Kapı yükleme
|
QG
|
VGE=-5V... +20V
|
1170
|
nC
|
|
内部 极电阻 iç 极电阻
İç kapı direniş
|
RGint
|
Tvj=25°C
|
2.0
|
Oh
|
|
giriş elektrik kapasitesi
Giriş limitiacitance
|
C- Evet.
|
f=1MHz,Tvj=25°C,VDS=1000V, VAC=25mV, VGE=0V
|
25.2
|
NF
|
|
çıkış elektrik kapasitesi
Çıkış kapasitans
|
C- Evet.
|
f=1MHz,Tvj=25°C,VDS=1000V, VAC=25mV, VGE=0V
|
1500
|
pF
|
|
Ters yönlü aktarım kapasitesi
Geri dönüşSfer kapasitesi
|
CRes
|
f=1MHz,Tvj=25°C,VDS=1000V, VAC=25mV, VGE=0V
|
96
|
pF
|
|
零 电压 漏极 电流 零 电压 漏极 elektrik akışı
Sıfır kapısı vYetişkinlik boşaltma akım
|
Ben...DSS
|
VDS=1200V, VGS=0V, Tvj=25°C
|
300
|
μA
|
|
极-源极 漏电流 (kayıp elektrik akışı)
Geçit kaynağı İzleAkage akımı
|
Ben...GSS
|
VDS=0V, VGS=20V, Tvj=25°C
|
100
|
nA
|
|
开通延迟时间 (Açıklama gecikmesi zamanı)(Elektrik yükü)
Açma Gecikme süresi, endüktif yükleme
|
td( üzerinde)
|
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C
|
76
66
66
|
ns
ns
ns
|
|
升时间(Elektrik yükü)
Kalkma zamanı. endüktif yükleme
|
tr
|
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C
|
62
56
56
|
ns
ns
ns
|
|
关断延迟时间(Elektrik yükü)
Çıkış dElay zamanı, endüktif yükleme
|
td(Kaldır)
|
Ben...D=300A, VDS=600V
VGS=-5/20V
RGon.=2.5Ω
|
Tvj=25°C
Tvj=125°C
Tvj=150°C
|
308
342
342
|
ns
ns
ns
|
|
İndirim zamanı(Elektrik yükü)
Sonbahar zamanı. endüktif yükleme
|
tf
|
RGoff=2.5Ω
Lσ = 56 nH
İndüktif Load,
|
Tvj=25°C
Tvj=125°C
Tvj=150°C
|
94
92
92
|
ns
ns
ns
|
|
开通损耗能量 açıklık kaybı enerji(Her bir atış.)
Açma Enerji kayıp her - Evet.İse.
|
Eüzerinde
|
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C
|
5.55
4.35
4.35
|
MJ
MJ
|
|
关断损耗能量 (Kısıtlama enerji kaybı)(Her bir atış)
Kapatma enerjisi kayıp her Nabız
|
EKaldır
|
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C
|
12.10
12.35
12.35
|
MJ
MJ
|
|
结-外 热阻
Termal Direniş, juİlişki durum
|
RthJC
|
Per MOSFET / Her biri. MOSFET
|
0.12
|
K/W
|
|
çalışma sıcaklığı
Sıcaklık veDeğişim koşullar
|
Tvjop
|
|
-40150
|
°C
|
|
Diyot/二极管
Maksimum Değerlendirilmiş değerler/ maksimum定值
|
|
Ürün
|
Simge
|
Koşullar
|
Değer
|
Birimler
|
|
devamlı dikey akım elektrik akımı
için sürekli diyotbölme akım
|
Ben...F
|
VGS = -5 V, TC = 25 ̊C
|
400
|
A
|
|
Karakterdeğerleri/ Özellik değeri
|
|
Ürün
|
Simge
|
Koşullar
|
- Min. Tipik. - Max. - Hayır.
|
Birimler
|
|
Doğrudan elektrik basıncı
İleri voltaj
|
VSD
|
Ben...F=300A, VGS=0V
|
Tvj=25°C Tvj=150°C
|
1.60
2.00
|
1.80
|
V
V
|
|
结-外 热阻
Termal Direniş, juİlişki durum
|
RthJC
|
Diyot başına/ Her bir diyet.
|
0.13
|
K/W
|
|
çalışma sıcaklığı
Sıcaklık veDeğişim koşullar
|
Tvjop
|
|
-40 150
|
°C
|
|
Modül/ 模块
|
|
Ürün
|
Simge
|
Koşullar
|
Değer
|
Birimler
|
|
绝缘 test elektrik basıncı
İzolasyonTest voltajı
|
VISOL
|
RMS, f=50Hz, t=1min
|
2.5
|
KV
|
|
模块基板材料
Malzeme Modül taban plaka
|
|
|
Cu
|
|
|
内部绝缘
İç İzolasyon
|
|
基本绝缘(sınıf) 1, Ben...AB 61140)
Temel yalıtım (sınıf) 1, IEC 61140)
|
Al2O.3
|
|
|
爬电距离
ÇılgınlıkTANCE
|
|
Sonun-散热片/ terminal to Sıcaklık borusu
Sonun-Sonun/terminal to terMinal
|
29.0
23.0
|
mm
|
|
电气间隙 elektrik araları
İzin
|
|
Sonun-散热片/ terminal to Sıcaklık borusu
Sonun-Sonun/terminal to terMinal
|
23.0
11.0
|
mm
|
|
¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥
Karşılaştırmalı takip endeks
|
CTI
|
|
> 400
|
|
|
Ürün
|
Simge
|
Koşullar
|
- Min.
|
Tipik.
|
- Max. - Hayır.
|
Birimler
|
|
杂散电感, modul
Çılgın indüktans Modül
|
LSCE
|
|
|
20
|
|
nH
|
|
模块 引线电阻 (modül yönlendirme kablosu direnci),Sonun-Çip
Modül kurşun Direnç, terminaller - Çip
|
RCC+EE
|
TC=25°C
|
|
0.465
|
|
mΩ
|
|
depolama sıcaklığı
Depolamaperature
|
Tstg
|
|
-40
|
|
125
|
°C
|
|
模块安装的安装扭矩 模块安装的安装扭矩
Montaj torNe için? Modül Montaj
|
M5
|
|
2.50
|
|
5.00
|
Nm
|
|
端子联接 tork
Terminal bağlantısın tork
|
M6
|
|
3.00
|
|
5.00
|
Nm
|
|
Ağırlık
Ağırlık
|
G
|
|
|
300
|
|
g
|
MOSFET MOSFET
Çıkış özelliği MOSFET (tipik) Çıkış özelliği MOSFET (tipik)
IC=f (VCE) IC=f ((VCE)
Tvj=25°C Tvj=150°C
Direnç üzerinde normalleştirilmiş drenaj kaynağı (tipik) Direnç üzerinde normalleştirilmiş drenaj kaynağı (tipik)
RDOğlum.(P.U.) = f(Tvj) RDSon=f(IDS)
Ben...DS=120A VGS=20V VGS=20V
Direnç üzerine boşaltma kaynağı (tipik) Sınır Voltajı (tipik)
RDOğlum.=f(Tvj) VDS (((th)=f(Tvj)
Ben...DS=120A VDS=VGSBen...DS=30mA
MOSFET
Transfer özelliği MOSFET (tipik) Diyotun ileri özelliği (tipik)
Ben...DS=f(VGS)Ben...DS=f(VDS)
VDS=20V Tvj=25°C
Diyotun ileri karakteri (tipik) karakteri 3rdÇeyreği (tipik)
Ben...DS=f(VDS) BenDS=f(VDS)
Tvj=150°C Tvj=25°C
MOSFET
3'ün özelliğirdÇeyreği (tipik) Geçit yük karakteri MOSFET (tipik)
Ben...DS=f(VDS) VGS=f ((QG)
Tvj=150°C VDS=800V, IDS=120A, Tvj=25°C
MOSFET MOSFET
Kapasite özelliği MOSFET (tipik) Değişim kayıpları MOSFET (tipik)
C=f(VDS) E=f(IC)
VGS=0V, Tvj=25°C, f=1MHz VGE=-5/20V, RG=2,5 Ω, VCE=600V
MOSFET MOSFET
Değişim kayıpları MOSFET (tipik) Geçici termal impedans MOSFET
E=f (RG) ZthJC=f (t)
VGE=-5/20V, IC=120A, VCE=600V
Geçici Termal Impedans Diyodu
ZtHJC=f (t)
"1200V 300A SiC MOSFET Yarım Köprü Modülü" iki Silikon Karbid Metal-Oksit-Yarı İletici Alan Etkisi Transistörü (SiC MOSFET) yarı köprü yapılandırmasında entegre eder.Yüksek güç uygulamaları için tasarlanmış, endüstriyel ortamlarda daha iyi verimlilik ve performans gibi avantajları ile voltaj (1200V) ve akım (300A) üzerinde hassas bir kontrol sağlar.Güvenilir bir işletim için etkili soğutma çok önemlidir, ve detaylı özellikleri üreticinin veri sayfasında bulunabilir.
Çember Şema başlık
Paket çizgiler
mm
Mesajınız 20-3.000 karakter arasında olmalıdır!
