OEM IGBT Güç Modülü 1200V 300A Yarım Köprü Modülü DS-SPS300B12G6M4-S04020025
Solid Power-DS-SPS300B12G6M4-S04020025
1200V 300A IGBT Yarısı. Köprü Modül
D 1200V Trench+ Field Stop teknolojisi
□ Hızlı ve yumuşak ters geri kazanımlı serbest tekerlekli diyotlar
□ VCE(sat)Pozitif sıcaklık katsayısı ile
□ Az değişim kaybı
□ Indüksiyon ısıtması
□ Kaynak
□ Yüksek frekanslı anahtarlama uygulaması
Paket
| Ürün |
Simge |
Koşullar |
Değerler |
Birim |
|
İzolasyon test voltajı
|
VISOL |
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min |
4.0
|
KV
|
|
Modül tabanının malzemesi
|
|
|
Cu
|
|
|
İç yalıtım
|
|
(sınıf 1, IEC 61140)
Temel yalıtım (sınıf 1, IEC 61140)
|
Al2O.3
|
|
|
Sürünme mesafesi
|
# Çirkin # |
Sıcaklık yuvasına terminal |
29.0 |
mm
|
| # Çirkin # |
terminalden terminal'e |
23.0 |
|
İzin
|
dAçık |
Sıcaklık yuvasına terminal |
23.0 |
mm
|
| dAçık |
terminalden terminal'e |
11.0 |
|
Karşılaştırmalı izleme indeksi
|
CTI |
|
> 400
|
|
| |
|
| Ürün |
Simge |
Koşullar |
Değerler |
Birim |
| - Min. |
Tipik. |
- Max. - Hayır. |
|
Saçma induktansa modülü
|
LsCE |
|
|
20
|
|
nH
|
|
Modül kurşun direnci, terminaller - çip
|
RCC+EE |
|
TC=25°C |
|
0.70
|
|
mΩ
|
|
Depolama sıcaklığı
|
Tstg |
|
-40
|
|
125
|
°C |
|
Modül montajı için montaj tork
|
M6 |
|
3.0
|
|
6.0
|
Nm
|
|
Terminal bağlantısı tork
|
M6 |
|
2.5
|
|
5.0
|
Nm
|
|
Ağırlık
|
G |
|
|
320
|
|
g
|
IGBT
Maksimum Rated Değerler
| Ürün |
Simge |
Koşullar |
Değerler |
Birim |
|
Toplayıcı-vericinin Voltajı
|
VCES |
|
Tvj=25°C |
1200
|
V
|
|
Kapı yayıcısının maksimum voltajı
|
VGES |
|
±20
|
V
|
|
Geçici kapı-emitör voltajı
|
VGES |
tp≤10μs, D=0.01 |
±30
|
V
|
|
Sürekli DC kolektor akımı
|
Ben...C |
|
TC=25°C |
400 |
A
|
| TC=100°C |
300 |
|
Pulslu kolektor akımı,tp T ile sınırlıdırjmax
|
ICpulse |
|
600
|
A
|
|
Güç dağılımı
|
Ptot |
|
1500
|
W
|
Karakteristik Değerler
| Ürün |
Simge |
Koşullar |
Değerler |
Birim |
| - Min. |
Tipik. |
- Max. - Hayır. |
|
Toplayıcı-emitör doymak voltajı
|
VCE (sat) |
Ben...C=300A, VGE=15V |
Tvj=25°C |
|
1.50 |
1.80 |
V
|
| Tvj=125°C |
|
1.65 |
|
| Tvj=150°C |
|
1.70 |
|
|
Geçit eşiği voltajı
|
VGE (th) |
VCE=VGEBen...C=12mA |
5.0
|
5.8
|
6.5
|
V
|
|
Toplayıcı-emitör kesme akımı
|
ICES |
VCE=1200V, VGE=0V |
Tvj=25°C |
|
|
100 |
μA |
| Tvj=150°C |
|
|
5 |
mA |
|
Geçit-emitör sızıntı akımı
|
IGES |
VCE=0V,VGE=±20V, Tvj=25°C |
- 200 dolar. |
|
200 |
nA |
|
Geçit Ücreti
|
QG |
VCE=600V, IC= 300A, VGE=±15V |
|
3.2 |
|
μC |
|
Girdi Kapasitesi
|
- Evet. |
VCE=25V, VGE=0V, f =100kHz |
|
60.0 |
|
NF
|
|
Çıktı Kapasitesi
|
Coes |
|
1.89 |
|
|
Ters aktarım kapasitesi
|
Cres |
|
0.54 |
|
|
İç kapı direnci
|
RGint |
Tvj=25°C |
|
1.2 |
|
Oh |
|
Açılma gecikme süresi, endüktif yük
|
Td ((on) |
VCC=600V,IC=300A RG=1.8Ω, VGE=±15V |
Tvj=25°C |
|
130 |
|
ns |
| Tvj=125°C |
|
145 |
|
ns |
| Tvj=150°C |
|
145 |
|
ns |
|
Kalkış süresi, endüktif yük
|
tr |
Tvj=25°C |
|
60 |
|
ns |
| Tvj=125°C |
|
68 |
|
ns |
| Tvj=150°C |
|
68 |
|
ns |
|
Kapatma gecikme süresi, endüktif yük
|
Td ((off) |
VCC=600V,IC=300A RG=1.8Ω, VGE=±15V |
Tvj=25°C |
|
504 |
|
ns |
| Tvj=125°C |
|
544 |
|
ns |
| Tvj=150°C |
|
544 |
|
ns |
|
Düşme zamanı, endüktif yük
|
tf |
Tvj=25°C |
|
244 |
|
ns |
| Tvj=125°C |
|
365 |
|
ns |
| Tvj=150°C |
|
370 |
|
ns |
|
Dökme enerjisi kaybı puls başına
|
Eon |
VCC=600V,IC=300A RG=1.8Ω, VGE=±15V |
Tvj=25°C |
|
7.4 |
|
MJ |
| Tvj=125°C |
|
11.1 |
|
MJ |
| Tvj=150°C |
|
11.6 |
|
MJ |
|
Patlama başına enerji kaybı kapat
|
Eof |
Tvj=25°C |
|
32.0 |
|
MJ |
| Tvj=125°C |
|
39.5 |
|
MJ |
| Tvj=150°C |
|
41.2 |
|
MJ |
|
SC verileri
|
ISC |
VGE≤15V, VCC=600V |
tp≤10μs Tvj=150°C |
|
|
1350
|
A
|
|
IGBT termal direnci, bağlantı kesi
|
RthJC |
|
|
|
0.1 |
K / W |
|
Çalışma sıcaklığı
|
TJop |
|
-40 |
|
150 |
°C |
Diyot
Maksimum Rated Değerler
| Ürün |
Simge |
Koşullar |
Değerler |
Birim |
|
Tekrarlanan ters gerilim
|
VRRM |
|
Tvj=25°C |
1200
|
V
|
|
Sürekli DC ileri akım
|
Ben...F |
|
300
|
A
|
|
Diyot patlama akımı,tp T ile sınırlıdırJmax
|
IFpulse |
|
600 |
Karakteristik Değerler
| Ürün |
Simge |
Koşullar |
Değerler |
Birim |
| - Min. |
Tipik. |
- Max. - Hayır. |
|
İleri voltaj
|
VF |
Ben...F= 300A, VGE=0V |
Tvj=25°C |
|
2.30 |
2.70 |
V
|
| Tvj=125°C |
|
2.50 |
|
| Tvj=150°C |
|
2.50 |
|
|
Geri dönüş süresi
|
trr |
Ben...F=300A
dIF/dt=-4900A/μs (T)vj=150°C) VR=600V,
VGE=-15V
|
Tvj=25°C |
|
90 |
|
ns
|
| Tvj=125°C |
120 |
| Tvj=150°C |
126 |
|
En yüksek ters geri kazanım akımı
|
IRRM |
Tvj=25°C |
|
212 |
|
A
|
| Tvj=125°C |
245 |
| Tvj=150°C |
250 |
|
Döner geri kazanım ücreti
|
QRR |
Tvj=25°C |
|
19 |
|
μC
|
| Tvj=125°C |
27 |
| Tvj=150°C |
35 |
|
Dövme başına ters geri kazanım enerji kaybı
|
Erec |
Tvj=25°C |
|
7.7 |
|
MJ
|
| Tvj=125°C |
13.3 |
| Tvj=150°C |
14.0 |
|
Diyot termal direnci, bağlantı kesi
|
RthJCD |
|
|
|
0.23
|
K / W
|
|
Çalışma sıcaklığı
|
TJop |
|
-40
|
|
150
|
°C |
Çıkış Karakteristik (tipik) Çıktı Karakteristik (tipik)
Ben...C= f (V)CE) BenC= f (V)CE)
Tvj= 150°C
IGBT
Değiştirme Karakteristik (tipik) Değişim kayıplar IGBT(Tipik)
Ben...C= f (V)GE) E = f (RG)
VCE= 20V VGE= ±15V, IC= 300A, VCE= 600V
IGBT RBSOA
Değişim kayıplar IGBT(tipik) Geri önyargı Güvenli çalıştırmak Bölge ((RBSOA)
E = f (IC) BenC=f (V)CE)
VGE= ±15V, RG= 1.8Ω, VCE= 600V VGE= ±15V, RGoff= 1.8Ω, Tvj= 150°C
Tipik kapasitans -... a) fonksiyon - Ne? toplayıcı-kaydırıcı Voltaj Kapı yükü (tipik)
C = f (V)CE) VGE= f (QG)
f = 100 kHz, VGE= 0V IC= 300A, VCE= 600V
IGBT
IGBT geçici Termal İmpedans -... a) fonksiyon Nabız Genişlik İleri Karakteristik - Ne? Diyot (tipik)
Zth(j-c) = f (t) IF= f (V)F)
Değiştirme kayıpları Diyot (tipik) DeğiştirmeDiyot kaybı (tipik)
EReklam= f (RG) EReklam= f (IF)
Ben...F= 300A, VCE= 600V RG= 1.8Ω, VCE= 600V
Diyot geçici Termal İmpedans -... a) fonksiyon - Ne? Nabız genişliği
Zth(j-c) = f (t)
IGBT yarı köprü modülü, yarım köprü yapılandırmasında düzenlenmiş iki yalıtılmış kapı bipolar transistörünü (IGBT) birleştiren bir güç elektronik cihazıdır.Bu yapılandırma, iktiraflı güç kontrolü gerektirdiği çeşitli uygulamalarda yaygın olarak kullanılırİşte IGBT yarı köprü modülleri hakkında bazı önemli noktalar:
1. IGBT'ler: IGBT'ler, yalıtımlı kapı alan etkisi tranzistörlerinin (IGFET'ler) ve bipolar bağlantı tranzistörlerinin (BJT'ler) özelliklerini birleştiren yarı iletken cihazlardır.Elektrik gücünü değiştirmek ve kontrol etmek için güç elektroniklerinde yaygın olarak kullanılırlar.
2. Yarım köprü yapılandırması: Yarım köprü yapılandırması, bir köprü devresini oluşturan seri olarak birbirine bağlı iki IGBT'den oluşur.Bir IGBT, giriş dalga biçiminin pozitif yarı döngüsü sırasında iletmekten sorumludurBu düzenleme akımın iki yönlü kontrolünü sağlar.
3. Voltaj ve Akım Dereceleri: IGBT yarı köprü modülleri, voltaj ve akım dereceleri ile belirtilir. Örneğin, ortak bir derecelendirme 1200V / 300A olabilir,Modülün taşıyabileceği maksimum voltaj ve akımı gösterir.
4Uygulamalar: IGBT yarı köprü modülleri, motor sürücülerinde, invertörlerde, güç kaynaklarında ve kontrollü güç anahtarı gerektiren diğer sistemlerde uygulamalar bulur.Değişken hız kontrolü veya güç tersine çevirmesi gereken uygulamalar için uygundurlar.
5. Soğutma ve Termal Yönetim: Bireysel IGBT'lerde olduğu gibi, IGBT yarı köprü modülleri çalışma sırasında ısı üretir.cihazın uygun performansını ve güvenilirliğini korumak için çok önemlidir..
6. Kapı Sürücü Çemberleri: IGBT'lerin etkin bir şekilde değiştirilmesini kontrol etmek için uygun kapı sürücü devreleri gereklidir.Bu kapı sinyallerinin uygun zamanlama ve yeterli voltaj seviyelerine sahip olmasını sağlamak da içerir..
7Veri sayfası: Kullanıcılar, detaylı özellikler, elektrik özellikleri,ve kullandıkları IGBT yarı köprü modülüne özel uygulama kılavuzları.
IGBT half-bridge modules are widely employed in industrial and automotive applications for their capability to handle high power levels and provide efficient and controlled switching of electrical currents.
Çember Şema başlık
Paket çizgiler
Boyutlar (mm)
mm
Mesajınız 20-3.000 karakter arasında olmalıdır!
